Cтраница 1
Электрон-электронное взаимодействие может влиять на различные свойства двумерной электронной системы, для описания которой используется представление об элементарных возбуждениях - квазичастицах. Сначала большое внимание исследователей привлекли характеристики квазичастиц, которые непосредственно проявляются в эксперименте: эффективная масса и g - фактор. В 1968 г. Фэнг и Стайлз [523] впервые измерили g - фактор в инверсионном слое на поверхности ( 100) Si и обнаружили, что его величина заметно превышает объемное значение, близкое к двум. В 1972 г. Смит и Стайлз [1657] измерили эффективную массу в той же системе и показали, что она превышает эффективную массу электрона в зоне проводимости и уменьшается с ростом концентрации электронов. Различные вопросы, касающиеся этих экспериментов, более подробно обсуждаются в § 2 гл. [1]
Влияние электрон-электронных взаимодействий на циклотронные резо нансы в газовой плазме. [2]
Роль электрон-электронного взаимодействия при вычислении примесной проводимости была подробно исследована в работе [67] с использованием аппарата функций Грина. [3]
Пренебрежение электрон-электронным взаимодействием соответствует модели лоренцевской плазмы, для которой здесь приведены точные решения. [4]
За счет электрон-электронных взаимодействий в электронном газе твердого тела могут возникнуть коллективные флуктуации плотности. [6]
Рассматривая проблему электрон-электронного взаимодействия, мы будем считать, что в решетке металла существуют даль-нодействующие силы. Тогда нам придется иметь дело со сложной задачей многих тел, и мы будем вынуждены сделать ряд упрощающих допущений. [7]
Оператор энергии дипольного электрон-электронного взаимодействия имеет такой же вид, как и оператор энергии дипольного электрон-ядерного взаимодействия ( гл. [8]
Если не учитываются электрон-электронные взаимодействия, то энергия молекулы во всех этих конфигурациях будет одна и та же. [9]
При этом полностью пренебрегают электрон-электронными взаимодействиями, полагая, что каждый электрон движется в поле неэкранированных, или голых, ядер. [10]
Это выражение учитывает электрон-ион и электрон-электронные взаимодействия. В [14] электропроводность ( U Г) - плазмы оценена с учетом некулоновских взаимодействий электронов. Найдено, что при температурах 5000 - т - 20000 К упругое рассеяние электронов атомами среды является определяющим фактором. [11]
Это выражение учитывает электрон-ион и электрон-электронные взаимодействия. В [14] электропроводность ( и - Г) - плазмы оценена с учетом некулоновских взаимодействий электронов. Найдено, что при температурах 5000 - т - 20000 К упругое рассеяние электронов атомами среды является определяющим фактором. [12]
Описанный метод решения задачи с учетом электрон-электронного взаимодействия является одним из возможных. [13]
Рассмотрение проводится при сделанных выше предположениях относительно электрон-ионных и электрон-электронных взаимодействий. Для столкновений электронов с ионами получаются относительно простые результаты; взаимодействие электронов друг с другом описывается сложным интегро-дифференциальным уравнением. Возникающие при этом трудности и методы решения подробно рассмотрены в гл. Уравнение Фоккера - Планка справедливо при некоторых предположениях, об одном из которых мы уже говорили. [14]
Состояние и форма электронной оболочки определяются сильными кулоновскими электрон-ядерными и электрон-электронными взаимодействиями. [15]