Заполненная зона

Cтраница 1

Заполненные зоны расположены по шкале энергий ниже, чем незаполненные. Для полупроводников это расстояние имеет величину нескольких эв и меньше, а для кристаллофосфоров значительно больше. Область между зонами является запрещенной, и пребывание в ней электронов маловероятно. [1]

Заполненная зона характеризуется тем, что все уровни ее заполнены электронами при температуре 0 К. [2]

Заполненная зона характеризуется тем, что все уровни ее заполнены электронами при температуре 0 К. Зона уровней возбуждения содержит уровни со значительно более высокими энергиями. Электроны, обладающие такими энергиями, могут передвигаться от одного атома кристалла к другому и тем самым обеспечивают прохождение тока проводимости. [3]

Схемы кинетики мгновенного ( / и длительного ( / / свечений активированных кристаллов. [4]

Заполненные зоны в кристаллах располагаются ниже, зоны проводимости - выше. Возбуждение может перенести электрон из нижней заполненной зоны в верхнюю зону проводимости; после этого электрон приобретает свободу передвижения по кристаллу. [5]

Зонная схема полупроводника ( состояния, эа-полвенные элеитровами, заштрихованы.| Расположение иао-энергетических поверхностей электронов в зоне Бриллю-еиа для Si ( пунктир - границы зоны. [6]

Высшая целиком заполненная зона иаз. [7]

Электроны заполненной зоны не могут быть носителями тока даже при наличии внешнего электрического поля. Однако по принципу Паули это невозможно, так как все состояния зоны с рх 0 заполнены. [8]

Последнюю целиком заполненную зону принято называть валентной оной, а зону, лежащую непосредственно выше ее - зоной проводимости. [9]

В заполненной зоне все возможные состояния энергии, а следовательно, и скорости, заняты, причем по принципу Паули на каждом состоянии может быть только один электрон. [10]

Энергетическое отличие металлических. [11]

В заполненной зоне, откуда ушел электрон, образовалась электронная дырка, а потому в полупроводнике начнется другое эстафетное движение электронов, заполняющих образовавшуюся дырку, причем под воздействием электрического поля дырка будет двигаться в направлении поля как эквивалентный положительный заряд. [12]

В заполненной зоне после ухода оттуда электрона образуется незаполненное место, которое образно называют дыркой. Естественно, что электроны под влиянием электрического поля могут занимать дырки. Происходит своеобразное направленное перемещение электронов, последовательно заполняющих открывающиеся одна за другой дырки. Это движение может быть условно представлено в виде перемещения дырок в противоположном направлении. Дырки, таким образом, как бы являются носителями положительных зарядов. [13]

В заполненной зоне егц и большинство уровней заполнены электронами. За счет переходов электронов на возбужденные уровни, где вг А, часть уровней в заполненной зоне может оказаться свободной. Для описания системы в этих случаях вводится понятие дырки как уровня, который заполнен при Т - 0, но при Г0 оказался вакантным. В классической статистике и ( Т) вычисляют, исходя из (IX.7), но величина ( г не имеет простого истолкования. [14]

Двумерное схематическое изображение собственного полупроводника 76. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5