Заполненная зона
Cтраница 3
Наличие дырок в заполненной зоне делает возможным при действии электрического поля движение электронов и в ней, так как, ускоряясь, электроны из более нижних уровней могут попадать в эти дырки. [31]
При этом в заполненной зоне возникают дырки. Так как резкой границы между заполненной и свободной зонами для металлов нет, то даже-слабое электрическое поле, приложенное к проводнику, способно изменить, энергию электронов и вызвать их направленное перемещение вдоль проводника, т.е. электрический ток. Это направленное перемещение электронов ( и дырок) мыслится не как непрерывное, а как состоящее из совокупности большого числа элементарных переходов от атома к атому, из одного квантового состояния в другое. При этом в одном из направлений электроны ускоряются электрическим полем, в другом - замедляются. Ускорение электронов соответствует переходу на более высокий энергетический уровень. В этом отношении электроны в металле подобны свободным электронам в вакууме. [33]
 |
Структура связей атомов германия в кристаллической. [34] |
Энергии электронов соответствуют заполненной зоне энергетического спектра. Так как все положительные и отрицательные заряды связаны и свободные зарядов, которые могут перемещаться под влиянием внешнего электрического поля, нет, то такой полупроводник не проводит электричества. Аналогичная картина имеет место и у других полупроводников без примесей, а также у диэлектриков. [35]
Элементы IV группы имеют заполненные зоны, и это типичные полупроводники. [36]
Напомним также, что целиком заполненные зоны в кристаллах называются валентными зонами, частично заполненные и пустые - зонами проводимости, а энергетический интервал ( или барьер) между ними - запрещенной зоной. [37]
Вследствие ухода электронов из заполненной зоны в последней появляются вакантные уровни. [38]
При переходе электронов из заполненной зоны на уровни адсорбированного кислорода ее верхний край может значительно подняться, но, конечно, не выше уровня Ферми. Таким образом, высота барьера ограничена значением Q. [39]
Миграция положительной дырки в верхней заполненной зоне считается при этом аналогичной передвижению недостающего электрона в противоположную сторону. [40]
Электроны, находящиеся в заполненных зонах, не могут изменить свое энергетическое состояние под действием приложенного поля и не могут принимать участия в электропроводности. [41]
На схеме видно, что целиком заполненная зона 2s перекрывается со свободной зоной 2р и при действительном значении постоянной решетки кристалла бериллия ( d0) в нем образуется частично заполненная зона. Благодаря этому кристалл бериллия проводит электрический ток. На рис. 3.10 видно, что если бы постоянная решетка бериллия была бы равна d, то перекрытия зон не произошло бы. [42]
 |
Электронные связи в кристаллических решетках. а - чистого германия. б - при наличии примеси бора. в - при наличии примеси фосфора. [43] |
При повышении температуры электроны из заполненной зоны перескакивают на эти промежуточные уровни и в заполненной зоне образуется большое число дырок, что и обеспечивает электропроводность, несмотря на отсутствие электронов в зоне проводимости. [44]
Электроны при возбуждении переводятся из заполненной зоны в зону проводимости. При этом в первой зоне появляются положительные дырки, которые, как и электроны, дают вклад в суммарную электропроводность. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5