Cтраница 5
Основная масса электронов находится в заполненной зоне, причем плотность энергетических уровней в заполненной зоне растет в направлении от верхней границы зоны к нижней. Таким образом, число электронов в определенном интервале энергии увеличивается в направлении от верхней границы заполненной зоны к ее нижней границе, а вместе с этим изменяется и вероятность вылета электронов из полупроводника под влиянием какого-нибудь внешнего воздействия. [61]
А вот для электронов в заполненных зонах такой процесс невозможен. [62]
В этом выражении Еу является энергией заполненной зоны, а второй член представляет Энергию электронных дырок без учета их взаимодействия между собой. [63]
Схема электрофотографического процесса. [64] |
Под воздействием света электроны переходят из заполненной зоны в зону проводимости. Образуются перемещающиеся электронно-дырочные пары. Положительные дырки или отрицательные электроны ( в зависимости от того, какой тип проводимости имеет полупроводник), перемещаясь по направлению к проводящей подложке фотополупроводникового слоя, способствуют деполяризации ( разрядке) слоя. Разность потенциалов, существовавшая между поверхностью слоя и металлической пластиной, снижается. [65]