Cтраница 2
По этому методу [78-80] для расчета давления пара необходимо определить скорость испарения вещества с открытой поверхности в вакуум. Теоретическое рассмотрение процесса сублимации с точки зрения физики твердого тела и поверхностных явлений при отрыве молекулы от кристалла до настоящего времени не может дать строгих количественных соотношений для описания этого процесса. При получении количественных соотношений для процесса парообразования исходят из того, что условием равновесия фаз конденсат-пар является равенство количества испаряющихся и конденсирующихся молекул в единицу времени, т.е. равенство скоростей испарения и конденсации. Для процесса конденсации расчеты проводят на основе кинетической теории газов как для процесса соударения газа со стенкой. [16]
Однако действительная скорость перегонки всегда значительно меньше вычисленной, что определяется рядом факторов, зависящих от конструкции прибора, и главным образом скоростью испарения вещества с конденсирующей поверхности. Поэтому эффективность молекулярной перегонки в большой мере зависит от степени охлаждения конденсирующей поверхности; температура конденсирующей поверхности должна быть не менее чем на 100 ниже температуры испаряющей поверхности. [17]
Однако действительная скорость перегонки всегда значительно меньше вычисленной, что определяется рядом факторов, зависящих от конструкции прибора, и главным образом скоростью испарения вещества с конденсирующей поверхности. Поэтому эффективность молекулярной перегонки в большой мере зависит от степени охлаждения конденсирующей поверхности; температура конденсирующей поверхности должна быть не менее чем на 100 С ниже температуры испаряющей поверхности. [18]
Однако действительная скорость перегонки всегда значительно меньше вычисленной, что определяется рядом факторов, зависящих от конструкции прибора, и главным образом скоростью испарения вещества с конденсирующей поверхности. [19]
В результате взаимодействия остаточных газов с поверхностью вещества возможно образование как более, так и менее летучих соединений, чем испаряемое вещество, что соответственно приводит или к получению завышенных скоростей испарения вещества или к накоплению на его поверхности экранирующей пленки труднолетучего соединения. [20]
Структура и свойства тонких пленок в значительной мере определяются условиями их конденсации и зависят от природы испаряемого вещества и соответствия его структуре подложки, материала подложки, температуры поверхности, степени вакуума, скорости испарения вещества и толщины пленки. Пленки, наносимые с большой скоростью, обычно имеют мелкозернистую структуру. [21]
Структура и свойства тонких пленок, полученных путем термического испарения в вакууме, в значительной степени определяются условиями их конденсации и зависят от природы испаряемого вещества и соответствия его структуры структуре подложки; природы подложки, степени ее очистки, микрорельефа и температуры поверхности в процессе конденсации на ней испаряемого вещества; степени вакуума и состава остаточной среды в процессе испарения вещества и его конденсации; скорости испарения вещества; угла падения молекулярного пучка на подложку; толщины пленки. [22]
В вакууме, помимо термической деструкции, наблюдаются процессы испарения веществ. Скорость испарения веществ зависит от давления их паров при данной температуре. [23]
Обычно желательно измерить скорость испарения вещества в возможно более широкой области температур, причем ошибки измерения температур должны быть определены и критически оценены. Из-за быстрого увеличения скорости испарения веществ с повышением температуры трудно выполнить измерения в широкой области температур с помощью единственных чувствительных микровесов. [24]
В зависимости от соотношения между средней длиной свободного пути и размерами сосуда изменяются многие свойства газа и явления, происходящие в газовой среде. Например, с повышением вакуума увеличивается скорость испарения веществ. Наибольшая скорость испарения вещества будет в высоком вакууме, когда испарившиеся молекулы не возвращаются на поверхность, с которой происходит испарение. [25]
При постоянном температурном режиме не может быть существенной разницы между долговечностью идеального или реального катода. Поэтому, подставляя в формулу (1.36) значение скорости испарения вещества с единичного катода М, соответствующее температуре центральной части реального катода ГТтах, можно найти срок службы реального катода. [26]
Во многих случаях процессы возгонки или испарения конденсированной фазы проводятся в атмосфере инертного газа под некоторым давлением. При этом наблюдается более или менее значительное снижение скорости испарения вещества. Инертный газ оказывает влияние только на кинетику процесса парообразования за счет соударений испаряющихся атомов с атомами инертного газа. Однако присутствие инертного газа практически не изменяет условий равновесия. [27]
Определить количество испарившегося вещества по формулам ( 37) и ( 38) трудно, так как далеко не всегда имеются все необходимые для расчета данные, не говоря уже о том, что применение этих формул связано с допущением равенств скоростей испарения вещества из раствора или смеси и со свободной поверхности. [28]
Нами использовалась испарительная установка, в которой в отличие от испарителей, описанных ранее [4], пары веществ, выделяющиеся при нагревании проб, поступают прямо в источник света. В установке области испарения и возбуждения полностью разделены и энергия источника света не участвует в испарении проб. Последовательное повышение температуры электрода-тигля позволило достаточно надежно зафиксировать относительные значения скоростей испарения веществ в зависимости от температуры нагрева пробы. [29]
В методе вакуум-плавления и восстановительного плавления в токе инертного газа кислородные соединения восстанавливаются углеродом с образованием окиси углерода. В случае летучих галогенидов проводится их отгонка, а затем восстановление кислородных соединений в остатке при повышении температуры. Целесообразно также использование метода плавления в потоке инертного газа, при котором скорость испарения вещества меньше, чем при вакуум-оплавлении. [30]