Скорость - накачка
Cтраница 1
Скорость накачки Р после достижения порога генерации лазера в течение процесса формирования импульсов может считаться постоянной, так как этот процесс протекает за малое по сравнению с длительностью накачки время. [1]
Расчет скорости накачки для четырехуровневого лазера проводится аналогичным образом, однако при этом надо учитывать влияние релаксации в течение процесса накачки. [2]
При фиксированной скорости накачки существует некоторое значение коэффициента пропускания Т выходного зеркала, при котором достигается максимальная выходная мощность. Физически существование такого оптимума связано с тем, что с увеличением Т имеют место два следующих эффекта: с одной стороны, выходная мощность должна возрастать из-за увеличения пропускания выходного зеркала, а с другой - она должна уменьшаться, поскольку с увеличением пропускания возрастают внутрирезонаторные потери, что приводит к уменьшению числа фотонов в резонаторе. [3]
Явные выраже-ния для скорости накачки WP как в случае оптической, так и электрической накачки уже были получены в гл. [4]
В радиационно-сбалансированном лазере значения скоростей накачки и вынужденного излучения определяются исключительно величиной скорости спонтанного излучения. [5]
Постоянная WH, называемая скоростью накачки, зависит от среды и системы накачки; NOCH - населенность основного состояния. [6]
Прежде всего рассмотрим случай, когда скорость накачки описывается ступенчатой функцией. [7]
 |
Схема энергетических уровней. а - трехуровневого лазера, б - четырехуровневого лазера. [8] |
Рассмотрим теперь зависимость разности населенностей от скорости накачки и от времени релаксации при стационарных условиях. [9]
ДОн ( 0 - зависящая от времени скорость накачки. [10]
При оптической накачке узкой спектральной линией в частоте ш2 скорость накачки RH равна к ( со. [11]
Как видно из выражений (1.11), при таких значениях скорости накачки с большей точностью выполняется NiCT Na. [12]
В спектре поглощения полупроводников также возможно прожигание дырок, если скорость накачки превысит или сравнится со скоростями релаксационных процессов. Тогда распределение электронов и дырок в зонах будет значительно отличаться от распределения Ферми - - Дирака. [13]
Во-первых, используя зависимость (3.41), заметим, что для оптимизации скорости накачки в лазерном разряде температура Те должна иметь оптимальное значение Тео. Полагая в (3.41) Те Те0, мы видим, что в лазере с продольным разрядом для данной газовой смеси будет существовать оптимальное значение pR, которое соответствует максимальной скорости накачки и, следовательно, максимальной выходной мощности. [14]
В результате этого число свободных электронов в центре трубки увеличивается и, следовательно, возрастает скорость накачки. Это позволяет объяснить наблюдаемое увеличение выходной мощности в случае, когда прикладывается внешнее магнитное поле. Удерживая разряд вблизи оси трубки, магнитное поле также уменьшает разрушение стенок. [15]
Страницы: 1 2 3 4