Скорость - накачка
Cтраница 3
Это обстоятельство способствует сохранению вида начального распределения на верхних колебательных уровнях. Необходимое временное разрешение определяется не только скоростью спонтанного излучения ( - 10 - 2с) и скоростью накачки, но и скоростью дезактивации на стенках. В условиях опытов Чартерса и Поляни [163] среднее время диффузии к стенке равно примерно 10 - 4 с. При полном давлении 10 - 2 мм рт. ст. перед возвращением в газовую фазу молекула испытывает Ю4 столкновений со стенкой, и поэтому процесс дезактивации на стенке должен протекать в диффузионной области, представляя собой эффективный сток колебательно-возбужденных частиц. [31]
Так как электрическое поле в разряде не зависит от разрядного тока, плотность электронов Ne пропорциональна плотности разрядного тока [ см. (3.39) ] и из выражения (6.4) следует, что ( dN2 / dt) p - Я. Можно показать, что при высоких плотностях тока рассмотренный выше процесс 3 также приводит к тому, что скорость накачки пропорциональна Я. Ион Аг, будучи заброшен на верхний лазерный уровень 4р, может ре-лаксировать на уровень 4s посредством быстрой ( - 10 - 8 с) из-лучательной релаксации. Однако следует заметить, что релаксация из нижнего лазерного 45-уровня в основное состояние Аг происходит за время, которое примерно в 10 раз короче. Таким образом, условие непрерывной генерации выполняется. [32]
Как уже было показано ( § 13, 14), уровень инверсной населенности вещества определяется соотношением между скоростью возбуждения и суммой скоростей всех процессов, возвращающих вещество к состоянию термодинамического равновесия. Очевидно, при любой заданной скорости возбуждения с увеличением объема активной среды неизбежно должен наступить момент, когда скорости оптических переходов, индуцированные усиленной люминесценцией, превысят скорость накачки и уровень инверсной населенности начнет падать. Следовательно, если не принять меры к подавлению усиленной люминесценции, то она может стать непреодолимым препятствием на пути создания активной среды значительных размеров. [33]
Энергетические процессы в цепях с импульсными ЭДС и токами, с точки зрения эффективности использования электромагнитной энергии, требуют особого рассмотрения. В § 12.2 при исследовании процесса зарядки конденсатора в цепи ( г, С) показано, что потери энергии и КПД ее использования впрямую зависят от скорости накачки энергии в электрическое поле конденсатора. Только при бесконечно медленном приращении напряжения на зажимах конденсатора удается всю энергию источника перевести в электрическое поле конденсатора. В цепях с импульсными токами и напряжениями, где изменения напряжений и токов в процессе зарядки могут быть теоретически бесконечно большими, следует ожидать еще больших потерь энергии и еще более низких КПД использования энергии. [34]
Мы видим, что сильнее усиливается амплитуда той волны. Этот на первый взгляд странный результат станет понятен, если учесть, что усиление данной волны создается за счет взаимодействия накачки с другой волной, скорость которой в этом случае как раз оказывается более близкой к скорости накачки. [35]
Для классического внешнего поля а, в точности равного нулю, мы имеем стандартное четное сечение ( рис. 6.3, 13.40 ( а), 14.14, 14.17) с амплитудой поля ( a) s, меняющейся параболически, когда скорость накачки возрастает, проходя через критическую точку. Так как интенсивность поля, а значит, и выходная мощность лазера пропорциональны ( ( a) s) 2, они возрастают в первом приближении линейно по отношению к скорости накачки, если ( а) е на самом деле - гладкая перепараметризация последней. [36]
 |
К вычислению скорости изменения энергии фотонов в элементарном объеме rfz ( с единичной площадью сечения лазерного усилителя. [37] |
В этом разделе мы рассмотрим работу лазерного усилителя с помощью скоростных уравнений. Ограничимся рассмотрением случая, когда падающее излучение имеет вид импульса длительностью тр, причем tl тр ( т, Wpl), где TI - время жизни нижнего, а т - время жизни верхнего уровня активной среды и Wp - скорость накачки усилителя. [38]
ХПЭ атомов водорода, t енерируемых радиационно-химически, имеет те же свойства и то же происхождение, что и ХПЭ радикалов. Различие лишь в том, что наблюдаемая поляризация значительно больше по двум причинам. М-1-с 1); это приводит к увеличению скорости накачки. Во-вторых, время спин-решеточной релаксации в атоме водорода велико ( около 100 мкс) и, следовательно, скорость деполяризации мала. [39]
Таким образом, самоохлаждение возможно тогда, когда в процессе накачки рождается фонон с энергией, меньшей чем энергия, уносимая в процессе антистоксовой люминесценции. По сделанным выше оценкам последняя примерно в два-три раза больше первой. Необходимо также подобрать такой лазерный ион, чтобы его резонансная частота попадала в длинноволновое крыло линии поглощения холодильного иона второй примеси так, чтобы скорость накачки, достаточная для генерации, была на порядок меньше скорости антистоксовой люминесценции. Тогда мощность охлаждения может превышать мощность нагрева кристалла. [40]
Для классического внешнего поля а, в точности равного нулю, мы имеем стандартное четное сечение ( рис. 6.3, 13.40 ( а), 14.14, 14.17) с амплитудой поля ( a) s, меняющейся параболически, когда скорость накачки возрастает, проходя через критическую точку. Так как интенсивность поля, а значит, и выходная мощность лазера пропорциональны ( ( a) s) 2, они возрастают в первом приближении линейно по отношению к скорости накачки, если ( а) е на самом деле - гладкая перепараметризация последней. [41]
 |
Изотермы рекомбинации и скорости накачки. а - серия I, Г 20 К, б - серия II, Т - 20 К, в - Г 8 9 К. г - Г15 8 К. [42] |
При этом одновременно регистрировали температуру обоих блочков, скорость тепловыделения и интенсивность люминесценции. Рассмотрение кривых, изображенных на рис. 6, позволяет судить о том, что рекомбинация атомов и свечение осадка представляют собой тесно связанные процессы. Однако следует отметить, что величина отношения скорости накачки к мощности тепловыделения непостоянна и резко возрастает при температурах выше 20 К. [43]
Изменение интенсивности одной из эмиссионных компонент спектра ЭПР происходит следующим образом. В момент включения света резко возрастает сигнал поглощения; он соответствует поглощению вновь образовавшихся радикалов с равновесной поляризацией. Далее, когда начинаются диффузионные встречи радикалов, в диффузионных парах создается отрицательная поляризация, которая компенсирует исходное поглощение. Поэтому интенсивность начального сигнала падает до некоторого стационарного состояния, при котором скорость накачки в диффузионных парах равна скорости релаксации. Чем короче время жизни радикалов, тем больше вклад эмиссии, и при самых коротких временах стационарный сигнал уже соответствует полной эмиссии. После выключения света стационарный сигнал спадает со скоростью гибели радикалов за счет химических реакций. Таким образом, при фотолизе ацетона в изопропаноле накачка электронной поляризации радикалов ( СНзЬСОН осуществляется за счет S - Г0 - переходов в диффузионных парах. [44]
Модель лазера состоит из уравнений (15.19) вместе с предположениями о неравновесности. Предполагается, что существует некий механизм, накачивающий атомы из основного в возбужденное состояние. При промежуточных скоростях накачки ог) е получает промежуточные значения. По этой причине мы принимаем ( ог) е в качестве удобной меры скорости накачки; это даст нам один из параметров деформации. [45]
Страницы: 1 2 3 4