Скорость - напыление
Cтраница 3
Для измерения толщины в приборе ИСТИ-1 имеется блок интегратора, на который поступает сигнал, соответствующий скорости напыления, а на выходе образуется сигнал, пропорциональный толщине пленки. Величина измеряемой толщины выдается на цифровой индикатор прибора. [31]
Напыление пленки хрома производится в высоком вакууме ( до 1 10 6 мм рт. ст.) при скорости напыления 5 - 10 А / с предпочтительно с использованием планетарного вращения подложек для получения равномерной по толщине пленки и подавления роста крупных кристаллов. [32]
 |
Калориметр и схема измерения люминесценции. [33] |
Давление в разряде поддерживалось в диапазоне 2 - 5 - 1 () - 2 торр, скорость напыления 15 - 30 слоев / с. Блочки разогревали нагревателем, расположенным на экране 1, в тот момент, когда уровень гелия опускался ниже экрана. Блочки были снабжены термометрами для измерения абсолютной температуры типа ИФП, датчиками температурной разности и управляющими нагревателями. [34]
Равномерность толщины пленок можно повысить за счет увеличения расстояния между испарителем и подложкой, но при этом уменьшается скорость напыления. Кроме того, рабочая камера установки имеет ограниченные размеры. Применяются также динамические системы, в которых испарители и подложки располагаются с внешней стороны барабана. [35]
Основное влияние на проводимость, адгезию к подложке, механическую прочность и свариваемость этих пленок оказывают температура подложки и скорость напыления. [36]
Приведенная в табл. 11 - 5 зависимость от температуры эмиссии титановых сеток показывает резкое ее снижение в широких пределах скорости непрерывного напыления на них бария уже при температуре сетки 850 С. При более интенсивном напылении бария подъем температуры сетки до 1 000 С вызывает дальнейшее снижение ее эмиссии почти вдвое. С, эмиссия катода сначала несколько возрастает, а затем длительно остается постоянной. При 950 С на сетке эмиссия оксидного катода заметно снижается, а при 1 000 С она уменьшается более чем вдвое. [37]
Особенности контроля характеристик тонкопленочных элементов в процессе напыления определяются малыми толщинами пленок от сотен до нескольких тысяч ангстрем в диапазоне скоростей напыления от десятых долей до нескольких сотен А / с. Возможность контроля свойств тонкопленочных элементов при вакуумном методе их изготовления позволяет устранить операция подгонки после процесса напыления. [38]
Решающими для возникновения ориентированных примесных слоев являются первые стадии образования зародышей, на которые сильно влияют адсорбированные слои посторонних веществ и скорость напыления. При наличии адсорбционных слоев изменяется вероятность обмена местами осаждающихся атомов. Благодаря этому работа образования зародышей на подложке обычно понижается, а плотность зародышей ( число зародышей на 1 см2) возрастает. [39]
 |
Графитовый тигельный испаритель.| Тигель с индукционным нагревом. [40] |
Однако электронный нагрев имеет следующие недостатки: катоды быстро загрязняются исдаряемым ма-еодв териалом и изменяют свои эмисси - онные свойства, нарушая стабильность нагрева; возможен дуговой разряд через поток испаряемого вещества, что ограничивает скорость напыления. [41]
В процессе формирования тонкопленочных структур вакуумными методами особо важен контроль таких параметров технологического процесса, как степень вакуума и парциальног о давления остаточных газов; температура подложек и испарителя; изменение сопротивления резистивной пленки, толщины и скорости напыления. [42]
 |
Изменение относительного сопротивления пленок, полученных методами распыления и напыления в зависимости от изменения поверхностного сопротивления. [43] |
Сиддалл и Пробин [23] определили технические требования при получении нихромовых пленок методом напыления: 1) температура подложек в процессе напыления должна поддерживаться в диапазоне 2 - 300 С, чтобы ликвидировать внутренние напряжения; 2) окисление пленки во время напыления должно регулироваться изменением остаточного давления газа и скорости напыления; и 3) полученная пленка должна быть отожжена. Отжиг можно проводить в обычной атмосфере при температуре 250 - 350 С, но готовая пленка должна быть изолирована, чтобы улучшить ее стабильность при больших изменениях атмосферных условий. [44]
Металлические пленки наносили на полированные поверхности сапфира, кварца и графита испарением металла с помощью электронно-лучевого нагрева в вакууме 1 10 - 5 мм рт. ст. Источником испарения служила капля расплава, возникающая на конце вертикально расположенного стержня напыляемого металла диаметра 2 - 3 мм, на который фркусировался электронный луч, скорость напыления была 1 - 10 А / сек, Температура подложки во время напыления составляла 100 - 200 С. [45]
Страницы: 1 2 3 4