Скорость - распыление
Cтраница 1
Скорость распыления составляет 76 - 183 м / сек. [1]
Скорость распыления примесей, заключенных в веществе, видимо, определяется скоростью распыления атомов основы, хотя это положение в дальнейшем требует уточнения. [2]
 |
Схема простейшей установки для катодного распыления металлов.| Схема рабочей камеры для ионно-плазменного распыления металлов и полупроводников. [3] |
Скорость распыления катодов зависит от энергии, угла падения и природы ионов-бомбардировщиков, природы распыляемого металла, геометрических факторов. Энергия бомбардирующих ионов возрастает с увеличением массы ионов и анодного напряжения. [4]
Скорость распыления электрода в разряде определяется плотностью ионного тока на электрод и энергетическим распределением бомбардирующих электрод ионов. Последнее при заданном давлении газа ( точнее, плотности газа) зависит от величины приэлектродного падения потенциала и ширины области, в которой сосредоточен при-электродный скачок потенциала. Естественно, что значение всех этих характеристик разряда необходимо для анализа процесса распыления. [5]
 |
Зависимость скорости распыления в аргоне ( 1 - меди. 2 - титана в высокочастотном разряде. а - от давления. б - от ионного тока. в - от приэлектродного потенциала. [6] |
Основные зависимости скорости распыления от параметров высокочастотного разряда ( рис. 4) качественно не отличаются от наблюдаемых в тлеющем разряде постоянного тока. Однако абсолютные величины измеренных нами скоростей распыления в высокочастотном разряде оказались значительно более вы. Так как опыт не показал заметного различия величин ионных токов на распыляемый электрод в тлеющем и высокочастотном разрядах, причину различия скоростей распыления нужно искать в энергиях ионов. Следует отметить, что при сильном нагреве электродов происходит их термическое распыление. Однако расчет, произведенный с учетом измеренных нами температур электродов ( - 500 С в тлеющем разряде и до 1000 С в высокочастотном разряде), показал, что термическим распылением можно пренебречь даже для меди во всем интервале условий наших экспериментов. [7]
 |
Зависимости. - нок вольфрама от удельного сопротивления. - - - - - - - - удельного сопротивления от толщины пленки. [8] |
При увеличении скорости распыления пленки получаются более плотными и стабильными во времени. Скорость распыления ограничивается устойчивостью разряда. Общая тенденция изменения Т КС в сторону положительных значений ( рис. 9) объясняется коалесценцией островков пленки с ростом пленки и образованием мостиков между ними, что приводит к преобладанию металлической проводимости. При малых скоростях распыления существует тенденция к образованию крупнозернистой пленки с равномерным распределением включений по кристаллам, приводящая к преобладанию рассеяния носителей на упругих колебаниях и дефектах кристаллической решетки. [9]
Отмечено, что скорость распыления фоторезистов сильно зависит от технологии их применения и в первую очередь от условий пленкообразования и сушки. Пленки фоторезистов, высушенные в атмосфере инертного газа, обладали значительно большей стойкостью к действию плазмы, чем те же покрытия, сформированные на воздухе. Этот факт достаточно просто объясняется тем, что сушка на воздухе приводит в какой-то степени к окислению полимерных молекул и появлению у них слабых мест в виде перекисных или кетонных групп, которые при ионной бомбардировке разрушаются в первую очередь, вызывая общее разрушение полимеров. [10]
При распылении сплавов скорость распыления отдельных компонентов в общем случае различна. Если температура катода высока, то диффузия более летучего компонента к поверхности катода может существенно изменить состав конденсирующейся пленки по сравнению с исходным. Во избежание этого явления на практике прибегают к водяному охлаждению катода. Охлаждение катода стабилизирует также тлеющий разряд, предотвращая переход его в дуговой. [11]
В качестве растворителя при скорости распыления 1 мл / мин был использован этанол. [12]
С ростом давления газовой смеси скорость распыления падает. То же происходит при увеличении расстояния между катодом и подложкой. [13]
Экспериментальные данные используют для расчета скорости распыления, пересыщения, температуры эпитаксии и других величин, расчет которых необходим по заданию. [14]
 |
Зависимость скорости распыления ( 1 - меди. 2 - титана.| Зависимость скорости распыления меди в тлеющем разряде от параметра. [15] |
Страницы: 1 2 3 4 5