Скорость - распыление
Cтраница 4
 |
Схемы катодного и иониоплазмеиного распыления. [46] |
Далее процесс как бы авторегулируется и поверхностный слой поддерживается в таком состоянии, при котором скорость распыления каждого из компонентов ( пропорциональная произведениям концентраций компонентов на коэффициенты их распыления) соответствует процентному составу исходного сплава, Так, при распылении сплава медь-золото в слое толщиной 30 - 80 А содержание золота постепенно уменьшается от 93 до 34 %, после чего резко возрастает концентрация меди в поверхностном слое мишени и далее состав ршпыляемой пленки точно соответствует процентному составу сплава. [47]
Как уже отмечалось, при использовании ионного микрозонда для анализа тонких пленок необходимо, чтобы скорость распыления образца поддерживалась на заданном уровне и была одинакова по всей площади, бомбардируемой пучком первичных ионов. Для этого плотность тока первичных ионов должна быть постоянна как во времени, так и по сечению пучка. [48]
Эмиссия и абсорбция в пламени, а следовательно, и чувствительность определения в известной мере определяются скоростью распыления. В свою очередь скорость распыления при одном и том же типе распылителя зависит от вязкости растворов. [49]
В то же время влияние солей К, Fe, Ba, Bi на определение изучаемых микропримесей практически отсутствует и соответственно скорость распыления и вязкость растворов этих солей при увеличении их концентрации от 1 до 10 % также не изменяется. [50]
 |
Турбулентная форсунка конструкции А. И. Карабина. [51] |
На рис. 26 показана схема работы двухступенчатой форсунки конструкции Союзтеплострой с раздельным подводом первичного и вторичного потоков воздуха, позволяющих регулировать скорость распыления мазута. [52]
В настоящей работе изучались характеристики процесса распыления в сопоставимых условиях тлеющего и высокочастотного разрядов, а также измерялись некоторые параметры разрядов, влияющие на скорость распыления. [53]
Для SiO2 максимальную скорость осаждения получают при давлениях ( 1 - 2) - 10 - 3 мм рт. ст. При увеличении напряженности магнитного поля скорость распыления SiO2 может быть увеличена вдвое. При увеличении давления с 1 10 - 3 до 2 - 10 - 3 мм рт. ст. скорость нанесения уменьшается ( вдвое) независимо от наличия магнитного поля. [54]
Увеличение атомного поглощения при определении Zn, Mg и Си в присутствии одноатомных спиртов практически одинаково, в то время как их вязкости, температуры кипения и скорости распыления резко различаются. Глицерин и этиленгликоль вообще не увеличивают атомную абсорбцию всех изучаемых примесей по сравнению с их водными растворами несмотря на то, что все характеристики этих спиртов отличаются довольно значительно. Следовательно, внутри класса спиртов также отсутствует какая-либо корреляция между их свойствами и увеличением аналитического сигнала. [55]
 |
Структура мембранных фильтрующих материалов.| Классификация металлических порошков. [56] |
Следует отметить, что приведенные в табл. 23 зависимости формы частиц от способа их получения несколько условны, так как при изменении технологического режима изготовления порошков ( например, скорости распыления) можно одним и тем же способом получать частицы различной формы. [57]
Фигельсон и др. [56] отмечали, что удельное сопротивление пленок CdS Se осаждаемых методом пульверизации с последующим пиролизом, слабо зависит от их состава, тогда как температура подложки, скорость распыления раствора и скорость осаждения пленок оказывают значительное влияние на их электрические свойства. [58]
Плотность напыляемого ионного пучка можно регулировать изменением тока эмиссии вольфрамового катода, давления инертного газа, а также напряженности магнитного поля соленоида, с помощью которого легко повысить концентрацию плазмы и увеличить скорость распыления при неизменном потенциале мишени. Скорость осаждения может изменяться в очень широких пределах: от нескольких ангстрем до нескольких тысяч ангстрем в минуту. Количество распыленного материала линейно зависит от времени, а толщина пленки при постоянном режиме разряда определяется соотношением между током мишени, напряжением на ней и временем распыления. Для получения очень тонких пленок нужно подавать на мишень небольшое напряжение ( около 200 в), при котором получаются очень малые и хорошо регулируемые скорости осаждения. Равномерность толщины пленки при ионно-плазменном распылении достигает 1 - 2 %, что значительно выше, чем при распылении в тлеющем разряде, где искажения вносятся непроводящей подложкой, расположенной между катодом и анодом. [59]
Авторы этих работ установили, что оксиацетилено-вое пламя обеспечивает в 9 раз лучшую чувствительность по сравнению с оксиводородным пламенем при следующих параметрах: скорость потока кислорода 4 л / мин, ацетилена - 2 2 л / мин, скорость распыления раствора 4-метил - 2-пентанрна 3 8 мл / мин. Чувствительность определения алюминия критически зависит от участка пламени, в котором измеряется поглощение. При боковом перемещении пламени относительно оптической оси наблюдаются два максимума, соответствующих пересечению пучком света границ внутреннего конуса пламени. Уменьшение количества вводимого в пламя ацетилена при постоянной скорости распыления раствора и постоянном потоке кислорода уменьшает абсорбцию алюминия. Например, при изменении отношения кислород / ацетилен с 2 7 до 4 5 абсорбция уменьшается примерно вдвое. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5