Скорость - распыление
Cтраница 2
На рис. 3 приведена зависимость скорости распыления меди в тлеющем разряде от приведенного выше параметра. [16]
 |
Интегральные распределения энергий ионов в аммиаке ( кривые приведены к одному значению начального тока. / - в тлеющем разряде. 2 - в высокочастотном разряде. [17] |
Таким образом, различие в скоростях распыления, наблюдаемое в условиях высокочастотного и тлеющего разрядов, связано прежде всего с различием функций распределения энергий ионов, бомбардирующих электрод. Высокая доля ионов больших энергий в высокочастотном разряде, на наш взгляд, объясняется меньшей толщиной слоя объемного заряда, а значит - меньшими потерями энергии ионов при соударениях. Разница в толщинах приэлектродных слоев объемного заряда несомненно обусловлена различием в механизмах его формирования. Однако детальное выяснение этого вопроса и проверка соответствия экспериментальных данных для высокочастотного разряда теории, предложенной в [6], требуют более подробных исследований. [18]
Ионорезист-фоторезист, электронорезист, рентгено-резист, обладающий малой скоростью распыления в ионном или плазмохимическом разряде по отношению к удаляемым этими способами материалам подложки. [19]
Изменение давления в межэлектродном пространстве также влияет на скорость распыления. [20]
 |
Аналитический сигнал соединений цинка в 10 % - ных растворах хлоридов. [21] |
Последнее является не только следствием изменения вязкости и скорости распыления, а также, по-видимому, в большей степени обусловлено матричным эффектом, который приводит к образованию новых соединений частиц или кристаллов солей большего размера и соответственно к затруднению испарения элемента примеси из частиц аэрозоля из-за меньшей летучести крупных кристаллов или частиц. [22]
Таким образом, в магниторазрядном насосе автоматически регулируется скорость распыления катодов, что обеспечивает экономное расходование геттера и длительный, в несколько десятков тысяч часов, ресурс работы. [23]
 |
Блок-схема установки, применяемой в лаборатории авторов для осаждения тонких пленок CdS методом пульверизации с последующим пиролизом. [24] |
Форма распыленной струи, распределение капель по размеру и скорость распыления в значительной степени зависят от конфигурации пульверизатора, в который поступают газ и жидкость. Разработаны разнообразные пульверизаторы для распыления растворов на неподвижную или перемещающуюся подложку. [25]
Считаются оптимальными размер частиц 100 - 200 мк и скорость распыления 1 г / сек. [26]
Для повышения концентрации ионов в разрядном пространстве и увеличения скорости распыления применяют магнетронные распылительные системы, в которых перпендикулярно электрическому полю Е между катодом и анодом направлено постоянное магнитное поле В. Оно искривляет траектории электронов, вылетевших из катода вследствие ионной бомбардировки, стремясь возвратить их обратно на катод. Увеличение длины пути электрона приводит к образованию значительно большего числа ионов, чем при отсутствии магнитного поля, что повышает скорость распыления или ( при той же скорости) позволяет снизить давление газа и загрязнение пленки. Кроме того, электроны достигают анода с малой скоростью, что снижает нагревание анода и, следовательно, предотвращает испарение осаждаемой пленки, устраняет возможность ее рекристаллизации и изменения химического состава. [27]
Положение подложек относительно катода выбирается эмпирически таким образом, чтобы скорость распыления была достаточной, а однородность напыляемой пленки по толщине - оптимальной. [28]
При количественных определениях возникает ряд ошибок, связанных с вариациями скорости распыления, размера капелек, флуктуации давления газа, изменением вязкости жидкости и поверхностного натяжения. [29]
 |
Скорости распыления и вязкость растворов солей. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5