Скорость - рост
Cтраница 1
Скорость роста и интенсивность захвата примеси, равномерно поступающей в раствор при растворении шихты, изменяются периодически либо вследствие изменения градиентов концентрации в камере кристаллизации, связанных с неоднородностью температурного поля конвекционных потоков, либо вследствие внешних возмущений. [1]
Скорость роста по нормали при прочих равных условиях больше скорости тангенциального роста, поэтому рост выпуклых частей кристалла, достигших более горячих слоев жидкости, приостанавливается, пока кристалл приобретает необходимый диаметр в результате тангенциального роста. [2]
Скорость роста и интенсивность захвата примеси, равномерно поступающей в раствор при растворении шихты, изменяются периодически либо вследствие изменения градиентов концентрации в камере кристаллизации, связанных с неоднородностью температурного поля конвекционных потоков, либо вследствие внешних возмущений. [3]
 |
Вид трещин на поверхности покрытия в начальной стадии трещинообразования ( увеличение 900х. [4] |
Скорость роста; трещин в пределах погрешности опыта приблизительно постоянна и уменьшается с понижением температуры. [5]
Скорость роста пропорциональна движущей силе. В самом общем виде зависимость между ними может быть выражена формулой vLA, где L - коэффициент пропорциональности, причем он сам зависит от А. Главное же заключается в том, что этот коэффициент обратен некоей силе сопротивления процессу; само наличие движущей силы еще не определяет того, будет ли идти процесс и с какой скоростью. Объяснение этому заключается в следующем. Частицы в жидкости, кристалле или на его поверхности находятся в потенциальных ямах ( § 1.5), будучи связанными с окружающими частицами. [6]
 |
Способы кристаллизации. [7] |
Скорость роста и совершенство кристалла в первую очередь определяется соотношением между составом среды и составом кристалла. Поэтому первым шагом в классифицировании способов получения кристаллов будет выделение способов получения кристаллов из чистых сред и способов получения из растворов, параллельно с разбиением методов на основании различий сред по их агрегатному состоянию. Движение атомов и молекул, характер взаимодействия между частицами ( постоянный, временный), порядок в расположении их различаются для разных агрегатных состояний. [8]
Скорость роста пузырьков зависит от интенсивности подвода теплоты обеими составляющими теплового потока. В качестве параметра, определяющего интенсивность теплообмена при кипении, может быть использовано число Якоба. Число Якоба получается при приведении системы дифференциальных уравнений и условий однозначности, описывающих теплообмен - при кипении жидкости, к - безразмерному виду. [9]
Скорость роста при данных условиях может быть различной для различных граней кристалла. Его кристаллографические плоскости, наиболее населенные атомами, отличаются наименьшим поверхностным натяжением и, следовательно, наибольшей способностью к пристройке атомных слоев. [10]
Скорость роста ( расширения) черных пятен зависит от ряда свойств пленки, и ее измерение может быть использовано для изучения этих свойств. В частности, кинетика роста черных пятен может дать ценные сведения о природе устойчивости эмульсий и пен. К сожалению, работы, посвященные кинетике роста черных пятен, крайне немногочисленны. [11]
Скорость роста зависит от концентрации субстратами по мере его истощения должна происходить смена доминирующих видов. [12]
Скорости роста; JM ] - концентрация мономера в частицах; N - число частиц в 1 мл системы; п - среднее 4исло радикалов в частице. [13]
 |
Зависимость скорости роста эпитаксиальных пленок кремния от температуры осаждения. [14] |
Скорость роста, зависит не только от перечисленных факторов, но и от геометрии системы и местоположения в ней подложки. Поэтому количественные данные следует рассматривать лишь в связи с конкретными условиями. Здесь в большей мере обращается внимание не на абсолютные значения измеряемых величин, а на характер зависимостей между ними. [15]
Страницы: 1 2 3 4