Скорость - рост
Cтраница 4
Скорость роста приблизительно в 5 раз превышает скорость роста из газовой фазы ( около 10 мкм / мин) в аналогичных условиях. Очевидно, жидкая поверхность в отличие от поверхности твердого монокристалла идеально атомно-шероховата, так что реакция пар - жидкая фаза происходит гораздо легче, чем аналогичная реакция пар - кристалл. При кристаллизации из жидкой фазы ( реакция жидкость-кристалл) относительно легко получить большой температурный градиент у растущей поверхности и уменьшить концентрационное переохлаждение. Механизм начальной стадии не вполне ясен, но инициировать рост легко. На чистую поверхность грани 111 монокристальной пластинки из кремния помещают небольшую крупинку золота и нагревают до 950 С, где она образует капельку жидкого сплава Аи - Si. Затем в систему вводят пары исследуемого соединения и начинается рост нитевидных кристаллов. Капелька расплава остается все время на вершине нитевидного кристалла, и в определенных условиях могут возникать более сложные формы, чем одиночная нить. Небольшой процент золота захватывается растущим нитевидным кристаллом и, в конечном итоге, если кристалл достаточно длинный, оно полностью расходуется. [46]
Скорость роста этих трещинок не должна выходить из заданных границ. Для нефтехимической аппаратуры допустимая скорость ползучести равна 10 - 7 мм. [47]
Скорость роста или испарения капель, а следовательно, и захвата частиц аэрозоля зависит от ряда обстоятельств: степени пересыщения водяных паров, природы центров конденсаций, характера веществ, входящих в состав образующихся капель. Если в облаках находятся одновременно и крупные, и мелкие капли, влага из мелких капель часто переходит в крупные. [48]
Скорость роста диффузионных слоев на металлах IV группы минимальна у циркония, примерно в два раза выше у титана и во много раз выше у гафния. [49]
Скорость роста у краев превышала в 1000 раз теоретическое значение, вычисленное по кинетической теории для мишени соответствующих размеров. Другое подтверждение возможности перемещения частиц по твердой поверхности вытекает из наблюдений над конденсацией атомов металлов на стекле и других аналогичных поверхностях. [50]
 |
Структура пленки кремния, осажденной способом пиролитического разложения SiH4 на монокристалле кремния ( 100. [51] |
Скорость роста - 0 1 А / с, толщина осажденного слоя - приблизительно 300 А. Снято в сканирующем электронном микроскопе. [52]
Скорости роста и растворения газового пузырька можно выразить и через уравнение теплопередачи, аналогичное уравнению массопередачи, которое определяет теплообмен при испарении жидкости или конденсации газа. [53]
 |
Макроструктура слитка стали. [54] |
Скорость роста по разным направлениям каждого из них различна. Но этим причинам соседние кристаллы в процессе роста смыкаются незакономерно. Ото смыкание прекращает рост соприкасающихся кристаллов па участке их контакта и определяет положение границ ( поверхностей раздела) между соседними кристаллитами. В результате поверхности раздела получаются неправильной формы. [55]
 |
К образованию паровых пузырьков на поверхности с углублениями. [56] |
Скорость роста пузырьков зависит от интенсивности подвода теплоты обеими составляющими теплового потока. В качестве параметра, определяющего интенсивность теплообмена при кипении, может быть использовано число Якоба. Число Якоба получается при приведении системы дифференциальных уравнений и условий однозначности, описывающих теплообмен при кипении жидкости, к безаварийному виду. Число Якоба характеризует соотношение между тепловым потоком, идущим на перегрев единицы объема жидкости, и объемной теплотой парообразования. Оно зависит от давления и перегрева жидкости. С повышением давления число Якоба уменьшается, так как существенно увеличивается плотность пара. Наоборот, с понижением давления это число увеличивается. С увеличением перегрева жидкости число Якоба растет. В зависимости от различных условий составляются соответствующие уравнения теплового баланса на границе парового пузыря, из которых находятся аналитические зависимости для определения скорости роста парового пузырька. [57]
Скорость роста контролируется количеством некоторого фактора. Количество синтезируемого фактора, лимитирующего рост, не только является функцией концентрации питательных веществ, но также зависит и от их типа. [58]
 |
Зависимости Y Y ( О Для керамики Т-80 при первоначальном старении ( /, регенерации без поля ( 2 и при повторном старении после регенерации ( 3 - 5. [59] |
Скорость роста у при повторном старении получалась одинаковая как после регенерации в воздухе, так и после регенерации в вакууме при той же температуре. [60]
Страницы: 1 2 3 4