Скорость - рост - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Для любого действия существует аналогичная и прямо противоположная правительственная программа. Законы Мерфи (еще...)

Скорость - рост

Cтраница 2


Скорость роста может лимитироваться массо - и теплообменом кристалла со средой ( соотв.  [16]

Скорость роста таких сферолитов обычно измеряется микроскопически.  [17]

Скорость роста определяется скоростью продвижения грани растущего кристалла и зависит от механизма роста, кристаллографического направления, градиента температур и концентраций, что существенным образом отражается на конечной структуре слитка.  [18]

Скорости роста при низких температурах определяются скоростью химической реакции, а при высоких - процессами диффузии и сильно зависят от газового потока и давления.  [19]

20 Технологическая диаграмма для скорости роста z ( C0 Т. ( Со - исходная концентрация ноднда. Т - температура. [20]

Скорость роста обычно лимитируется скоростью одной из стадий реакции.  [21]

Скорость роста определяется коэффициентом конденсации, зависящим от состава на поверхности покрытия, который, в свою очередь, зависит от интенсивности диффузионных процессов, а последние зависят от скорости конденсации. Таким образом, процессы, сопровождающие рост покрытия, тесно связаны друг с другом.  [22]

23 Изменение веса источника и подложки при различном количестве иода, используемого в качестве носящего агента при ги 700 С и 650 С.| Изменение скорости роста GaAs на ( 111 Ge в зависимости от концентрации иода при 750 С п tn 650 С. [23]

Скорость роста повышается с ростом диаметра трубки-реактора и уменьшением ее длины.  [24]

Скорость роста 3 дБ на октаву отражает двукратное уменьшение напряженности поля при четырехкратном увеличении расстояния. Это отвечает связи между излучателями за счет полей рассеяния диполей в ближней зоне. Скорость 6 дБ на октаву отражает двукратное уменьшение плотности потока мощности при двукратном увеличении расстояния.  [25]

Скорость роста и степень совершенства энитаксиальных пленок соединений весьма чувствительны к концентрации хлористого водорода. Таким образом, для получения хороших пленок с достаточными скоростями роста необходимы оптимальные условия. Hci 1 - 2 см. / мин и vR2 100 см3 / лшн скорость роста равна приблизительно 40 мк / час.  [26]

Скорость роста при эвтектоидном превращении обычно получают, строя график зависимости диаметра наиболее крупных образований от времени. Во всех исследованных случаях при этом получается прямая линия, наклон которой дает скорость роста Y. Эта измеренная скорость роста представляет собой, очевидно, среднюю величину, включающую торцевой рост колоний и зарождение новых колоний внутри перлитного образования, однако эта средняя величина, по-видимому, не сильно отличается от истинной скорости торцевого роста колонии. В сталях скорость роста, по-видимому, не чувствительна к структурным несовершенствам, хотя она уменьшается, если в твердом растворе присутствуют такие элементы, как молибден, марганец или никель; так, например, в интервале температур 600 - 700 С добавка к твердому раствору 0 5 ат.  [27]

Скорость роста какой-либо грани кристалла ( скорость перемещения этой грани при кристаллизации параллельно самой себе), как показал Вульф, тем более велика, чем больше поверхностная энергия этой грани.  [28]

Скорость роста при этом изменяется с напряжением линейно. Дальнейшее увеличение скорости v может привести к такой ситуации, когда толщина станет уменьшаться.  [29]

30 Схематическое изображение процесса роста фибриллярного кристалла в условиях сдвига. [30]



Страницы:      1    2    3    4