Скорость - рост - кристалл
Cтраница 1
Скорость роста кристалла описывается совокупностью линейных скоростей роста отдельных его граней. Линейная скорость роста - перемещение грани параллельно самой себе, происходящее в единицу времени. [1]
Скорость роста кристаллов как и скорость зародышеобразования пропорциональны коэффициенту диффузии кристаллических составляющих в расплавах и имеют максимумы, которые практически совпадают. [2]
Скорость роста кристаллов, обозначаемая в дальнейшем через с.к., есть скорость увеличения линейных размеров кристалла, выраженная в миллиметрах в единицу времени. Размерность этой величины - мм / с; мм / мин. [3]
 |
Распределение концентрации кристаллизующегося вещества у поверхности кристалла. [4] |
Скорость роста кристаллов, как и скорость образования зародышей /, зависит от большого количества факторов. Так, перемешивание раствора влияет на относительную скорость перемещения раствора и кристалла, увеличение которой снижает величину внешнего диффузионного сопротивления. Перемешивание суспензии эффективно в тех случаях, когда общая кинетика роста кристаллов определяется диффузионным подводом вещества к поверхности кристаллизации. [5]
Скорость роста кристалла в каждой точке границы раздела фаз пропорциональна суммарному тепловому потоку от данной точки в твердую и жидкую фазу, и для выяснения условий устойчивости необходимо сравнить теплоотвод от выступа, зависящий от его формы и размеров, с теплоотводом от плоского фронта и проследить за развитием выступа во времени. [6]
Скорость роста кристаллов измеряют непосредственно под микроскопом или определяют косвенным путем из данных дилатометрических измерений или термического анализа ( гл. Рост кристаллов путем простого добавления к ним кристаллизующихся частиц без образования новой поверхности непонятен с точки зрения теории абсолютных скоростей, использованной для описания процесса первичного зародышеобразования [ разд. [7]
 |
Зависимость скоростей зарождения центров кристаллизации и роста кристаллов от температуры. [8] |
Скорость роста кристаллов определяют по линейному увеличению растущей грани возникшего кристалла ( 1 мм / сек) и обозначают ир. [9]
Скорости роста кристаллов из газовой фазы невелики, порядка нескольких микрометров в час. [10]
Скорость роста кристаллов из неперемешиваемого раствора обычно полностью или частично контролируется скоростью переноса растворенного вещества к поверхности кристалла. Если раствор перемешивается, скорость массопереноса возрастает, и иногда при высоких скоростях перемешивания диффузионное сопротивление может быть полностью снято. Этот факт подтверждается тем, что скорость роста перестает зависеть от скорости перемешивания. В таких условиях может быть определен истинный закон реакции на поверхности. [11]
 |
Влияние скорости вращения. [12] |
Скорость роста кристалла при данной температуре в постоянных условиях пересыщения может значительно изменяться при перемешивании жидкости или вращении кристалла относительно жидкости. Скорость роста значительно увеличивается: на первых стадиях, так как увеличивается относительная; скорость между кристаллом; и жидкостью, но вскоре достигаются такие условия, когда дальнейшее перемешивание не оказывает никакого влияния. Результаты, полученные Ричардсоном 1551 и представленные на рис. 68, иллюстрируют поведение монокристаллов тиосульфата натрия, в водных растворах различных степеней пересыщения. Во всех случаях скорости вращения кристаллов, превышающие 20 об / мин, оказывали незначительное влияние на скорость роста. [13]
Скорость роста кристаллов может значительно замедляться примесями, содержащимися в системе. Замедляю-ющее действие примесей связано с их способностью захватываться поверхностью растущего кристалла. Располагаясь на поверхности, сын затрудняют доступ молекул или ионов кристаллизующегося соединения. [14]
 |
Вертикальный разрез печи для выращи-вания монокристаллов Y - Fe-грэнатов на затравках. [15] |
Страницы: 1 2 3 4 5