Cтраница 4
Варьируя скорость роста кристалла, можно попеременно выращивать и - и / 7-области любой толщины. [46]
Поскольку скорость роста кристаллов в среде с массовым содержанием In до 3 %, примерно вдвое меньше, чем без этой добавки, увеличение сопротивления обрзз-цов можно объяснить прямо пропорционзльной зависимостью коэффициента захватз примеси бора алмазом от скорости роста. [47]
Поскольку скорость роста кристаллов мартенсита независимо от температуры громадная, то наблюдаемое с понижением температуры сначала увеличение, а затем уменьшение скорости изотермического превращения ( рис. 138 и 139) обусловлено только температурной зависимостью скорости зарождения кристаллов мартенсита. [48]
Расчет скоростей роста кристалла, несомненно, выходит за рамки равновесной статистической механики. Такие расчеты ведутся на основе либо теории переноса, либо кинетической теории, либо же статистической механики неравновесных процессов. [49]
Колебание скорости роста кристалла вносит возмущение в это стационарное значение. [50]
![]() |
Изменение концентрации вакансий Wr в пределах слоя Г. [51] |
Интервал скоростей роста кристалла, при котором применима формула (4.1.38) и выполняется условие (4.1.34), трудно определить априорно, так как свойства приповерхностной зоны кристаллов исследованы слабо. Однако если использовать разумные значения hT я Ю-3 см, Ъ 2 Ю-8 см, со & ДО12 с 1 и Е 40 кДж / моль, то нетрудно убедиться, что искомый интервал ( 1 - 10 1 g / 5 10 - 8 см / с) почти перекрывает интервал скоростей роста кристалла ( 10 - 8 / 1 - 10 - 8 см / с), обычно наблюдаемых на практике. [52]
![]() |
Зависимость скорости роста кристаллов хлористого калия от величины пересыщения раствора при температуре 303 К. [53] |
Возрастание скорости роста кристаллов в условиях массовой кристаллизации может быть только следствием действия некоторых специфических для данного случая факторов, отсутствующих при росте однородных по размеру кристаллов, взвешенных в потоке пересыщенного раствора. К таким факторам относятся: 1) одновременное протекание процессов роста кристаллов и образования новых центров кристаллизации и, как следствие - полидисперсность кристаллов суспензии; 2) наличие в кристаллизаторе зон. [54]
![]() |
Вязкость насыщенных растворов солей в зависимости от температуры.| Влияние температуры раствора на форму кристаллов MgSO4 6Н2О. [55] |
Увеличение скорости роста кристаллов с повышением температуры непосредственно вытекает из общих положений теории кристаллизации. В самом деле, если лимитирующей является диффузионная стадия [ уравнение ( 11) ], то с повышением температуры увеличивается скорость роста кристаллов вследствие увеличения коэффициента диффузии D и уменьшения толщины ламинарного слоя б, величина которого при прочих равных условиях уменьшается с понижением вязкости раствора. Сравнительно плавный характер кривых nf ( t) объясняется тем, что с повышением температуры одновременно возрастает и концентрация соли в насыщенном растворе. [56]
Зависимость скорости роста кристаллов сернокислого железа от абсолютного пересыщения характеризуется константой скорости 0 12 - 0 15 кг - С - м / ч и п 1 [5] при 30 С. Зато в титановых щелоках константа скорости роста оказывается значительно ниже - примерно в 10 - 15 раз по сравнению с k для обычных растворов. Порядок процесса при этом остается неизменным, Следовательно, в присутствии титана рост кристаллов железа замедляется. Причины уменьшения скорости роста могут быть разными. [57]
Под скоростью роста кристаллов обычно понимают изменение их линейного размера или же перемещение границы между кристаллической и жидкой фазами в единицу времени. [58]
![]() |
Влияние степени переохлаждения на число зародышей ( 1 и скорость их роста ( 2. [59] |
Под скоростью роста кристаллов понимают скорость увеличения линейных размеров кристалла в единицу времени. [60]