Скорость - рост - кристалл
Cтраница 2
Скорость роста кристаллов зависит также от скорости растворения подпитывающего вещества. Для скоростей роста 1 3 - 4 мм / сут зависимость скорости роста от скорости растворения линейна. При этом в процессе кристаллизации скорость растворения подпитывающего вещества понижается, что, в свою очередь, приводит к понижению скорости роста затравочных кристаллов из-за уменьшения как массы подпитывающего вещества, так и его поверхности в результате спекания. При использовании больших тиглей, когда поверхность подпитывающего вещества достаточно велика, или при увеличении скорости растворения путем интенсивного перемешивания раствора-расплава вблизи поверхности подпитывающего вещества снижение скорости роста является менее заметным. [16]
Скорость роста кристалла в условиях повышенного переохлаждения возрастает. Поэтому любой случайно образовавшийся на фронте кристаллизации выступ, попадая в область концентрационного переохлаждения, быстро разрастается в глубь расплава, оттесняя примесь в стороны. В результате на фронте кристаллизации образуется ячейка в форме шестигранной призмы, ось которой перпендикулярна к фронту кристаллизации. [17]
Скорость роста кристалла мала, и тепловой поток, обусловленный выделением скрытой теплоты кристаллизации, пренебрежимо мал по сравнению с тепловым потоком за счет теплообмена излучением. [18]
Скорость роста кристаллов и определяется по уравнению. [19]
Скорость роста кристаллов в тянутой вольфрамовой проволоке увеличивается с увеличением температуры, однако, это увеличение тем медленнее, чем меньше диаметр проволоки. В результате выдержки вольфрамовой проволоки при высоких температурах искаженные, протяжкой удлиненные кристаллы, вследствие снятия напряжений отжигом, превращаются в полиэдры, конечная величина которых тем больше, чем больше было первоначальное напряжение, полученное кристаллами при протяжке. [20]
 |
Обогащение ( а и обеднение ( б расплава примесью вблизи фронта кристаллизации. [21] |
Скорость роста кристалла будет определяться следующими факторами: 1) скоростью образования зародышей кристаллизации и 2) скоростью отвода тепла от фронта кристаллизации так, чтобы температура в нем не превышала температуры плавления растущего центра кристаллизации. Практически в любом расплаве, присутствуют примеси, которые влияют на скорость роста и чистоту кристалла. [22]
Скорость роста кристаллов может быть выражена через линейную скорость роста отдельных граней или представлена как изменение массы кристалла во времени. В первом случае она может быть представлена как некоторая средняя L или как сумма линейных скоростей роста отдельных граней, если речь идет об увеличении объема кристалла. Во втором - понятие о скорости роста практически совпадает с понятием скорости кристаллизации продукта. [23]
 |
Зависимость скорости образования зародышей ti и скорости роста кристалла у и в переохлажденной среде от температуры. [24] |
Скорость роста кристалла и % ( скорость отложения вещества на зародышах) с понижением температуры вначале растет, затем достигает некоторого постоянного максимального значения, после чего уменьшается. [25]
Скорость роста кристаллов зависит от многих факторов. Рассмотрим важнейшие из них. [26]
Скорость роста кристалла сложным образом зависит от температуры. [27]
Скорость роста кристаллов может значительно замедляться примесями, содержащимися в системе. Замедляющее действие примесей связано с их способностью захватываться поверхностью растущего кристалла. Располагаясь на поверхности, они затрудняют доступ молекул или ионов кристаллизующего соединения. [28]
Скорость роста кристаллов и их предельные размеры определяются не только числом зародышей, но и адсорбцией на гранях кристаллов некоторых примесей, находящихся в растворе. В результате адсорбции примесей на активных точках поверхности кристаллов замедляется дальнейший рост кристаллов и ограничиваются их максимальные размеры. Иногда адсорбция имеет избирательный характер; примесь адсорбируется на определенных гранях, что приводит к сильному изменению формы кристалла. Иногда вследствие присутствия примесей образуются сростки кристаллов - друзы. [29]
Скорость роста кристаллов может быть выражена либо линейной скоростью роста отдельных граней, либо изменением массы кристалла во времени. Линейная скорость роста может быть представлена средней величиной L или суммой линейных скоростей отдельных граней. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5