Cтраница 3
![]() |
К определению энергии магнитного поля. [31] |
При этом нужно принять во внимание, что в процессе возникновения тока в контуре его величина не остается постоянной, а увеличивается от 0 до / по мере увеличения скорости заряженных частиц. [32]
Увеличение скорости заряженной частицы по мере ее движения вперед становится все меньше и меньше, пока, наконец, дальнейшее увеличение скорости частицы не становится настолько малым, что им можно пренебречь. [33]
![]() |
Схема электрической дуги В. ВОЗ-духе между угольными электродами. [34] |
Среднее движение заряженных частиц по направлению поля в газе носит название дрейфа. Благодаря дрейфу скорости заряженных частиц превышают скорости нейтральных и можно говорить о температурах электронов Т а, ионов Тя и нейтральных частиц Гн. Процесс выравнивания температур заряженных и нейтральных частиц происходит весьма быстро для ионов, масса которых близка к массе нейтральных частиц и которые поэтому могут передавать ударяемой частице значительную часть своей избыточной энергии. Электроны же при столкновениях могут передавать атомам или молекулам не более чем одну тысячную своей энергии. [35]
Пролетая в электрическом поле иона или атома, свободный электрон во время взаимодействия с полем изменяет направление и величину своей скорости. Резкое мгновенное изменение скорости заряженной частицы должно приводить к возникновению электромагнитного излучения, энергия которого заимствуется из кинетической энергии частицы. Это означает, что электрон может при столкновении с атомом потерять часть своей энергии, которая излучается в виде фотона. Энергия фотона hv может составить любую долю первоначальной кинетической энергии электрона. Появление такого фотона означает, что вся кинетическая энергия быстрого электрона перешла в электромагнитное излучение. [36]
Поэтому кривые XIV, б называются интегральными кривыми распределения. При изучении распределения скоростей заряженных частиц из опыта легко получаются интегральные кривые распределения. [37]
Электромагнитное поле наряду с вышеперечисленными свойствами характеризуется особыми электромагнитными свойствами, не рассматриваемыми в механике, а именно способностью оказывать силовое воздействие на заряженные частицы. Это воздействие зависит от скорости заряженных частиц. [38]
Электромагнитное поле наряду с вышеперечисленными свойствами характеризуется особыми электромагнитными свойствами, не рассматриваемыми в механике, а именно, способностью оказывать силовое воздействие на заряженные частицы. Это воздействие зависит от скорости заряженных частиц. [39]
Под действием приложенного напряжения Up первичные электроны и ионы, присутствующие в газе вследствие естественной ионизации, перемещаются: электроны - к аноду, ионы - к катоду. При малых значениях напряжения ( 7Р скорости заряженных частиц незначительны. Их энергия недостаточна для ударной ионизации газа. Ток через газоразрядный прибор мал ( порядка долей или единиц микроампер), а внутреннее сопротивление велико. [40]
Черепковское свечение возникает в результате когерентного излучения ориентированных диполей, возникающих вдоль траектории заряженной частицы под действием ее электрического поля. Эффект Черепкова широко применяется для определения скорости бы-стродвижущихся заряженных частиц. [41]
В 1937 году Игорь Евгеньевич Тамм и Илья Михайлович Франк поняли, в чем физическая причина явления, названного излучением Черенкова - Вавилова, и построили его количественную теорию. Определяя угол, под которым происходит излучение, можно найти скорость заряженной частицы. [42]
В неоднородной плазме как фазовая скорость колебаний, так и скорость заряженных частиц меняются с координатами. Поэтому в неоднородных системах резонансное взаимодействие может протекать весьма своеобразно. [43]
В данной главе были рассмотрены основные свойства аксиально-симметричных полей, формирующих изображения. Мы начали главу теоремой Буша (4.9), которая определяет азимутальную компоненту скорости заряженной частицы в аксиально-симметричном поле. Затем была доказана способность аксиально-симметричных полей формировать изображения. Затем была вкратце изложена классификация электронных и ионных линз, после чего мы рассмотрели системы линз, введя матричный формализм. Матрица переноса (4.91) может быть использована при конструировании систем линз. Было показано, что приближение тонкой линзы представляет удобный инструмент для быстрой оценки параметров слабых линз в первом приближении. Среди практически значимых примеров, заключающих эту главу, как наиболее важные следует выделить однородные электростатическое и магнитное поля, простую магнитную линзу и двухлинзовую уменьшающую проекционную систему. [44]
Внешние магнитное и электрическое поля отсутствуют. В (2.1) - (2.2) j - вектор плотности тока, v5 - скорость заряженных частиц ( для дальнейших оценок рассматривается простейший случай, когда имеется только один сорт заряженных частиц), с - скорость света, е и ц, - магнитная проницаемость и диэлектрическая постоянная среды. Они предполагаются постоянными и одинаковыми внутри и вне струи. [45]