Дрейфовая скорость
Cтраница 1
Дрейфовая скорость - средняя скорость ионов в газе. [1]
Дрейфовая скорость насыщения у электронов в GaAs и кремнии почти не изменяется, причем в электрических полях 0 - 30 кВ / см дрейфовая скорость электронов в GaAs выше, чем в кремнии. Поэтому GaAs пригоден для изготовления быстродействующих БИС. [2]
Отсюда дрейфовая скорость насыщения, показанная на рис. 2.27, почти не зависит от концентрации примеси. [3]
Дрейфовую скорость определяют, наблюдая время пролета иона между двумя помещенными в жидкость электродами. [4]
Однако дрейфовая скорость aD далеко не всегда является постоянной. По существу, как будет показано позднее для бинарного сплава, эта скорость зачастую оказывается пропорциональной градиенту логарифма концентрации. [5]
Насыщение дрейфовой скорости приводит к тому, что крутизна [ см. формулу (5.3) 1 при дальнейшем повышении напряжения на затворе почти постоянна, а на стоко-затворной характеристике ( см. кривую 1 на рис. 5.2) появляется линейный участок. [6]
 |
Схематическое изображение радиационных поясов ( А - внутрений, В - внешний, окружающих Землю. [7] |
Величина дрейфовой скорости составляет 5 - Ю5 см / сек. [8]
Зависимость дрейфовой скорости от напряженности электрического поля для германия, кремния и арсенида галлия при 7 300 К показана на рис. 1.13. Для германия и кремния эта зависимость может быть аппроксимирована формулой удр Унас [ 1 ( § о / §) ] -, где § о fiiacM - - параметр аппроксимации. [9]
Постоянство дрейфовой скорости носителей в однородном поле ( Е const) специфично для твердого тела, где имеются различные препятствия движению. Направленное движение носителей в твердом теле под действием поля сочетается с их хаотическим ( тепловым) движением. [10]
Найдите дрейфовую скорость электрона и протона в поле тяжести и магнитном поле Земли, индукция которого равна 0 7 10 - 4 Тл. Магнитное поле перпендикулярное полю тяжести. [11]
Сравним дрейфовую скорость электронов с их тепловой скоростью. [12]
Найдите дрейфовую скорость электрона и протона в поле тяжести и магнитном поле Земли, индукция которого равна 0 7 10 - 4 Тл. Магнитное поле перпендикулярное полю тяжести. [13]
Эффект насыщения дрейфовой скорости оказывает влияние на статические характеристики МОП-транзистора. [14]
Для вычисления средней дрейфовой скорости носителей в полупроводнике n - типа, равной средней скорости движения электронов vn, предположим, что при рассеянии электрон теряет всю скорость, приобретенную за среднее время свободного пробега tn, и в начале каждого нового отрезка пути имеет нулевую скорость. [15]
Страницы: 1 2 3 4