Дрейфовая скорость
Cтраница 2
Поскольку ДО пропорционально дрейфовой скорости носителей заряда vd, то, согласно уравнению ( 18) и определению величины rj, vd будет сублинейно зависеть от электрического поля. [16]
В слабом поле дрейфовая скорость электронов в InP меньше, чем в GaAs, однако все же выше, чем в кремнии, и занимает на графике как раз промежуточное положение. При увеличении напряженности поля на том участке, где дрейфовая скорость электронов в GaAs, перевалив через максимум, уже начинает снижаться, скорость дрейфа электронов в InP еще продолжает расти. Достигнув значения около 2 - Ю7 см / с, скорость дрейфа электронов в InP также начинает снижаться, однако при значении поля около 16 кВ / см она по-прежнему выше, чем в кремнии. С другой стороны, в кремнии дрейфовая скорость электронов продолжает монотонно повышаться при увеличении напряженности поля и не достигает максимума. Причина того, что зависимость скорости дрейфа электронов проводимости от напряженности электрического поля в GaAs и InP имеет экстремальный характер, а в случае Si характеризуется монотонным ростом, кроется в различии зонной структуры этих материалов. [18]
Формализм для вычисления дрейфовой скорости носителей, развитый в § 5.1, при водит к закону Ома и справедлив только в слабых электрических полях. Для большинства полупроводников закон Ома перестает выполняться при электрических полях, превышающих 104 В / см. В этом параграфе мы будем изучать влияние сильных электрических полей на распределение носителей и другие явления переноса, которые могут происходить в сильных электрических полях. Как было отмечено во введении, эффекты, возникающие в сильных полях, могут вычисляться только с помощью численных методов [5.4, 5.23], и поэтому наше рассмотрение по необходимости будет носить качественный характер. [19]
 |
Зависимость логарифма концентрации электронов. п ( 1 / п от 1 / Г в полупроводнике п-тнаа. [20] |
Подвижность определяется отношением дрейфовой скорости Удр носителей под действием электрич. [21]
При этом из-за отрицательной дифференциальной дрейфовой скорости электронов ( или соответственно отрицательной дифференциальной объемной проводимости, см. 5 4.1) любое малое возмущение объемного заряда нарастает в образце со временем и в пространстве. [22]
Теймор измерил также дрейфовую скорость экси-тонов в поле градиента напряжений, освещая входную поверхность импульсом излучения и определяя временную задержку, с которой экситоны достигают данной области кристалла. Время рассеяния в этом температурном интервале ме няется почти на два порядка. Найденная экспериментально температурная зависимость вида Г-3 / г согласуется с теоретическим предсказанием для рассеяния носителей на фононах. К равно 1Q - 14 с) экситоны в сверхчистом кремнии оказываются чрезвычайно подвижными час тицами с е лх 2 - Ю6 см2 / В-с при температуре 1 5 К. [23]
Задача 2.25. Определить дрейфовую скорость электронов, движущихся в газе в скрещенных электрическом и магнитном полях, а также проводимость слабоионизованной плазмы, помещенной в скрещенные электрическое и магнитное поля. [24]
Задача 4.2. Определить дрейфовую скорость ионов в газе, если частота столкновения ионов с частицами газа не зависит от скорости соударения. [25]
В отсутствие внешнего поля дрейфовая скорость равна нулю, и электрический ток в металле отсутствует. При наложении на металл внешнего электрического поля Е дрейфовая скорость становится отличной от нуля - в металле возникает электрический ток. [26]
В отсутствие внешнего поля дрейфовая скорость равна нулю и электрический ток в металле отсутствует, При наложении на металл внешнего электрического поля Е дрейфовая скорость становится отличной от нуля - в металле возникает электрический ток. [27]
Будем считать, что дрейфовая скорость электронов w мала по сравнению с их тепловой скоростью. [28]
Рассмотрим зависимость подвижности и дрейфовой скорости от напряженности электрического поля. [29]
 |
Релаксация процесса электропроводности при импульсном возбуждении. Включение при t - - 0, выключение при t t0. [30] |
Страницы: 1 2 3 4