Дрейфовая скорость
Cтраница 3
Подвижность электронов численно равна дрейфовой скорости в электрическом поле единичной напряженности. [31]
Известно, что изменение дрейфовой скорости в сильных электрических полях может привести к нарушению закона Ома. [32]
 |
Релаксация процесса электропроводности при импульсном возбуждении. Включение при t - - 0, выключение при t t0. [33] |
Подвижность электронов численно равна дрейфовой скорости в электрическом поле единичной напряженности. [34]
Добавление ТФА уменьшает величину дрейфовой скорости, и для диапазона концентраций этого донора 1018 - 1020 см-3 это уменьшение подчиняется зависимости вида tT - Л ФА - Однозначного объяснения такой зависимости в настоящее время нет. При дальнейшем увеличении концентрации ТФА величина дрейфовой скорости проходит через минимум ( при ТФА - 3 1020см - 3); при 4 1020см - 3 темные и светлые кружки совпадают, что указывает на одинаковость скорости пролета в пленках, содержащих и не содержащих ИПК. Все это говорит о том, что при концентрациях а: 4 1020см - 3 весь ток идет по молекулам ТФА, и существенно только расстояние между этими молекулами; следовательно, при таких концентрациях ТФА расстояние между его молекулами достаточно мало для того, чтобы взять на себя все движение носителей. [35]
Подставим полученное выражение для дрейфовой скорости электронов в уравнение непрерывности для электронов и исключим из последнего связанные с колебаниями плотность электронов и потенциал электрического поля, воспользовавшись при этом больцмановским распределением электронов. [36]
 |
С. ема ЛПД типа /, п-г. распределение напряженности. [37] |
Происходит так называемое насыщение дрейфовой скорости носителей. Следовательно, носители заряда дрейфуют с конечной скоростью за конечный промежуток времени. [38]
Произведение А, на дрейфовую скорость равно ( 3 - 10И) - 0 5 1 5 - Ю11 СГСЭч / с, что равно силе тока приблизительно 50 А. [39]
В транзисторах с коротким каналом дрейфовая скорость достигает насыщения, стоко-затворная характеристика близка к линейной, а крутизна слабо зависит от напряжения на затворе. [40]
В рассматриваемом случае, когда дрейфовая скорость иона много больше тепловой скорости частиц газа, температуры ионов Т ц, Т д значительно превышают температуру газа. [41]
 |
Зависимости дрейфовых скоростей электронов и дырок в Si и электронов в GaAs от напряженности электрического поля. [42] |
В / см, а дрейфовая скорость дырок входит в насыщение при поле свыше 100кВ / см. Поскольку эффективная масса дырок больше, чем у электронов, то и поле, при котором наступает насыщение, у дырок выше. [43]
Это взаимодействие приводит к независимости дрейфовой скорости от напряженности поля. [44]
При этом предполагается линейная зависимость дрейфовой скорости v2 от напряженности поля. [45]
Страницы: 1 2 3 4