Измеряемый диод

Cтраница 2

От стабилизированного источника постоянного тока И на измеряемый диод; / з - л-переход) ИД подается напряжение в непроводящем направлении. При измерениях задаются значением обратного тока по миллиамперметру пгА, а обратное напряжение на приборе измеряют вольтметром V. И стабилизированный, то независимо от величины обратного сопротивления измеряемого диода значение обратного тока одинаково для всех диодов. [16]

Разница лишь в том, что на измеряемый диод подается обратное напряжение не 36 В, а соответствующее типу измеряемого диода. [17]

От стабилизированного источника постоянного тока И на измеряемый диод ( р - п переход) ИД подается напряжение в непроводящем направлении. При измерениях задаются значением обратного тока по миллиамперметру т / 4, а обратное напряжение на приборе измеряют вольтметром V. Такой способ измерения принят потому, что постоянный ток легко поддается стабилизации с помощью электронного стабилизатора. Следовательно, независимо от величины обратного сопротивления измеряемого диода величина обратного тока одинакова для всех диодов. [18]

Схема для измерения динамических параметров диодов. [19]

При этом измеряется ток, протекающий через измеряемый диод в те полупериоды, когда напряжение приложено к диоду в прямом направлении. [20]

Схема приставки для просмотра ВАХ тиристоров. [21]

Напряжение на зажим х осциллографа подается с измеряемого диода. Это напряжение пропорционально току через тиристор. [22]

Схема приставки для просмотра ВАХ переключающих диодов. [23]

Напряжение на зажим х осциллографа подается с измеряемого диода. Это напряжение пропорционально току через диод. [24]

Диод Д включен в цепь в направлении, противоположном направлению измеряемого диода. Он запирает цепь в тот полупериод, когда измеряемый диод проводит ток. [25]

Для компенсации заряда, теряемого на паразитной емкости, целесообразно параллельно измеряемому диоду включить конденсатор емкостью 0 5 - 1 пф, заряд которого создаст необходимое превышение над паразитным отрицательным зарядом схемы. Все эти меры позволяют получить разрешающую способность в измерении заряда переключения порядка 1 5 пк. [26]

Схема для измерения напряжения стабилизации стабили. [27]

От регулируемого с помощью автотрансформатора Тр источника постоянного тока И через измеряемый диод ИД пропускают классификационный ток. [28]

Схема для измерения добротности полупроводниковых. [29]

Контур образован резонансной катушкой Lp, конденсатором переменной емкости Сп и измеряемым диодом ИД. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5