Измеряемый диод

Cтраница 3

Схема для измерения добротности полупроводниковых приборов. [31]

Контур образован резонансной катушкой Рк, конденсатором переменной емкости Сп и измеряемым диодом ИД. [32]

Диоды Д i и Д2 используются для разделения цепей токов прямого смещения измеряемого диода. Эти диоды должны быть более быстродействующими, чем измеряемый диод ИД. В тех случаях, когда выброс переходного обратного тока намного превышает уровень отсчета, в схему вводят дополнительный ограничитель обратного тока. [33]

Генератор напряжения ВЧ ( ГН имеет внутреннее сопротивление RI, много меньшее емкостного сопротивления измеряемого диода. Величина сопротивления токосъемного резистора R i удовлетворяет тому же условию. [34]

Этот метод дает высокую повторяемость измеряемых результатов и позволяет чувствовать даже небольшое различие в быстродействии измеряемых диодов. Однако границей применимости этого метода, по-видимому, следует считать измерение заряда переключения у диодов с временем восстановления обратного сопротивления 0 5 нсек. [35]

Переменное напряжение, величина которого измеряется вольтметром Vi, с автотрансформатора подается на схему с измеряемым диодом. Вольтметр V2 совместно с диодом D3 образуют униполярный прибор для измерения прямого падения напряжения исследуемого диода. [36]

Схема измерения граничной частоты диода. [37]

ГС через согласованный тройник СТ и развязывающий аттенюатор 15 дб ( Атт) сигнал подается на измеряемый диод ИД. Последовательно с ИД включен резистор RI с сопротивлением, равным 120 ом, назначение которого состоит в уменьшении добротности паразитного резонансного контура, образуемого барьерной емкостью выпрямляющего перехода диода и паразитной индуктивностью измерительного устройства Ln. [38]

Разница лишь в том, что на измеряемый диод подается обратное напряжение не 36 В, а соответствующее типу измеряемого диода. [39]

Принцип измерения времени восстановления обратного сопротивления заключается в том, что туннельный диод формирует из экспоненциально спадающего импульса переходного обратного тока измеряемого диода прямоугольный импульс с крутыми фронтами, по длительности равный тВОССт от начала запирающего импульса до момента, когда обратный ток спадает до заданного отсчетного уровня. Длительность сформированного таким образом импульса сравнивается с временем задержки запирающего импульса, прошедшего через, калиброванную регулируемую линию задержки. [40]

При измерении / Е и / в запоминающее устройство выдает линейно-нарастающее напряжение, которое при помощи регулируемого источника тока задает ток через измеряемый диод. С другой стороны на диод из схемы сброса подается ток противоположной полярности. При переходе рабочей точки с падающей ветви на восходящую происходит скачок напряжения, на который реагирует анализатор. Ток, протекающий в цепи диода, измеряется индикатором. При измерении Ua, Us и UfV анализатор отключается от запоминающего устройства, а к измеряемому диоду подключается индикатор. [41]

Схема измерения дифференциального сопротивления. [42]

Этот диапазон частот удобен для получения хорошей избирательности селективного усилителя, кроме того, на этих частотах еще не сказываются паразитные реактивности измеряемого диода и облегчена борьба с фоном переменного тока и шумами. [43]

ГТ, - генераторы постоянного и переменного тока соответственно; ЭВ - электронный вольтметр с измерительным усилителем, шкала которого градуирована в омах; Si - переключатель; 1 / изм - измеряемый Диод; Якал - калибровочный резистор. [44]

При конструировании схемы, в которой измеряется время восстановления обратного сопротивления, необходимо особое внимание уделять мерам по сокращению до возможного минимума паразитной индуктивности Ln контура, по которому рассасывается заряд, накопленный в измеряемом диоде. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5