Измеряемый диод

Cтраница 4

Схема для измерения напряжения и тока переключения переключающих диодов. [46]

Величина напряжения контролируется вольтметром V. Измеряемый диод переключается, если амплитуда подводимого напряжения не меньше напряжения переключения. Момент переключения фиксируется амперметром А: при увеличении напряжения выше t / nep ток в цепи диода начинает падать. [47]

Схема измерения емкости дио - резонанс при какой - ЛИ-да куметром бо фиксированной емкос. [48]

От этой фиксированной величины в дальнейшем производят отсчет емкости диода. После настройки контура в схему вставляют измеряемый диод, причем контур расстраивается от подключения к нему дополнительной емкости диода. [49]

Схема измерения тэфф по выбросу обратного тока. [50]

Здесь от генератора синусоидального сигнала ГС на измеряемый диод ИД подается синусоидальное напряжение. Ток, протекающий в цепи диода, измеряется стробоскопическим осциллографом СО путем наблюдения формы напряжения на нагрузке диода, которой является волновое сопротивление коаксиального кабеля, нагруженного на согласованное входное сопротивление СО. Для стабильного наблюдения высокочастотного периодического напряжения на нагрузке ИД от ГС на вход канала синхронизации СО подается синусоидальное напряжение, когерентное с сигналом, подаваемым на диод. [51]

Диод Д включен в цепь в направлении, противоположном направлению измеряемого диода. Он запирает цепь в тот полупериод, когда измеряемый диод проводит ток. [52]

Диоды Д i и Д2 используются для разделения цепей токов прямого смещения измеряемого диода. Эти диоды должны быть более быстродействующими, чем измеряемый диод ИД. В тех случаях, когда выброс переходного обратного тока намного превышает уровень отсчета, в схему вводят дополнительный ограничитель обратного тока. [53]

Процессов субианосекундного диапазона требует сверхширокополосных стробоскопических осциллографов с временем установления, меньшим, чем длительность измеряемых процессов. Это требсшание не всегда осуществимо, так как инерционность измеряемых диодов часто соизмерима с инерционностью диодов стробоскопического преобразователя, определяющих время установления стробосциллографа. [54]

Схема установки для измерения динамических параметров. [55]

Амплитудное значение обратного напряжения контролируется вольтметром VI. При обратной полуволне напряжения фактически все напряжение прикладывается к измеряемому диоду, так как сопротивление остальных элементов схемы ничтожно мало по сравнению с обратным сопротивлением р-д-перехода. [56]

Амплитудное значение обратного напряжения контролируется вольтметром V. При обратной полуволне напряжения фактически все напряжение прикладывается к измеряемому диоду, так как сопротивление остальных элементов схемы ничтожно мало по сравнению с обратным сопротивлением р - п перехода. [57]

Резистор Rz имеет сопротивление 1 - 10 ом. Переключателем Я изменяют величину активного сопротивления, подключаемого к емкости измеряемого диода ( резисторы R3 - R5), и тем самым выбирают пределы измерения прибора. [58]

Опорное напряжение снимается с низковольтного кремниевого стабилитрона Д Испытываемый диод ИД включен в коллекторную цепь транзистора. Переменный резистор R i обеспечивает глубокую регулировку прямого тока через, измеряемый диод. [59]

Блок-схема измерения времени восстановления ( а и максимального. прямого импульсного напряжения ( б. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5