След - примесь - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Если из года в год тебе говорят, что ты изменился к лучшему, поневоле задумаешься - а кем же ты был изначально. Законы Мерфи (еще...)

След - примесь

Cтраница 3


Прямое гамма-спектрометрическое определение следов примесей возможно лишь при отсутствии собственного гамма-излучения макрокомпонента. Разработаны методики гамма-спектрометрического активационного анализа кремния, графита, таллия, свинца и фосфора с использованием сцинтилляционных кристаллов и многоканальных амплитудных анализаторов. Спектрометрический вариант выгодно отличается быстротой и простотой исполнения.  [31]

Торможение реакций окисления следами примесей известно уже в течение двухсот лет. Титов [30] впервые дал объяснение механизму замедления ( отрицательного катализа) как снимающего действие положительного катализатора.  [32]

Отмечено, что даже следы примесей оказывают сильное влияние на время покоя капель на межфазной поверхности, поэтому при проведении исследований следует принимать величайшие меры предосторожности, чтобы гарантировать отсутствие примесей. Установки обычно снабжаются устройствами для периодической очистки поверхности раздела. Неизбежное наличие примесей в промышленных растворах затрудняет перенос результатов, полученных в лабораторных исследованиях, в промышленные условия.  [33]

Следует подчеркнуть, что следы примесей могут значительно влиять на получаемые результаты методом ЯМР вследствие вызываемых примесями деформаций кристаллической решетки, таким образом помогая или препятствуя переориентации или диффузии.  [34]

Следует указать, что следы примесей алюминия или железа могут заметно влиять на кислотность кремневой кислоты, так как алюмокремневая кислота является более сильной, чем кремневая.  [35]

36 Спектрофлуориметрическое опре. [36]

Чувствительность лимитируется фоновой флуоресценцией следов примесей в 2 3-диаминонафта-лине.  [37]

Распространенным методом для определения следов примесей является экстракция. Применению этого метода посвящено несколько обзоров [77-82] и большое число других работ. При химико-спектральных определениях экстракция является эффективным и простым приемом концентрирования и разделения элементов.  [38]

В основу метода определения следов примесей в ртути, предложенного Мейером [965], положено отделение ртути от электроотрицательных металлов восстановлением ртути из азотнокислого раствора муравьиной кислотой. Содержание Zn, Cd, Pb и Си определяют полярогра-фически; Mn, T1 и Mg определяют методом пламенной фотометрии; Fe, Co, Ni и Bi - фотометрически. Метод позволяет одновременно анализировать четыре образца за 8 5 час.  [39]

Экстракт, являющийся концентратом следов примесей, упаривают на графитовый коллектор и анализируют спектрально.  [40]

41 Влияние содержания., птттия и ттл гЬич примесей на нек-рые свойства выми on 4. И др. физ. - Fe. а - зависимость предела те - хим. свойствами, К-рыми кучести о от концентрации С обладают многие Ч. в. углерода и азота при темп - pax ияттт, йттягппяпя rrvfin.| Влияние содержания примесей на нек-рые свойства А1. а - зависимость мнк - fso ротвердости ( Нц, определенной вдавливанием рокбнче-ской ( J и квадратней ( г алмазных пирамидок, от концентрации С примесей Си, Fe, Si и Mg. 6 - зависимость темп-ры ( начала ( 1 и конца ( 2 рекристаллизации от концентрации С примеси Си, в - то же для примеси Fe, г - то же для примеси Si. [41]

Из хим. методов определения следов примесей широко применяются колориметрич.  [42]

Из современных методов определения следов примесей наиболее широко используется спектральный анализ. Однако эту чувствительность можно значительно повысить, если провести экстракцию и концентрирование определяемых элементов. Однако при проведении контрольного опыта возникает опасность загрязнения, которая в рассматриваемой области концентраций может оказаться заметной.  [43]

Исключительная чувствительность полупроводников к следам примесей влечет за собой ряд чисто технологических и экономических следствий их необычной диаграммы состояния. Одним из важнейших является поставленная в неслыханном до сего времени аспекте проблема особочистых веществ для полупроводниковой техники. Если каждый атом примеси, концентрация которой равна 10 - 10 ат. Очевидно, что граница чувствительности к примесям, смещаясь в ту или другую сторону, в зависимости от ширины запрещенной зоны полупроводника и от условий его применения лежит в среднем около 10 - 10 ат.  [44]

После обогащения раствор со следами примесей переносят на эту матрицу и подсушивают. Тщательная гомогенизация матрицы очень существенна ( разд. Удачный выбор носителя исключает проблему матричного эффекта ( разд. Такой носитель выполняет роль добавки ( см. ниже) и может также использоваться в качестве элемента сравнения. Спектр носителя не должен накладываться на аналитические линии анализируемых элементов. Во многих методах обогащения не требуется добавлять специально носитель, так как его роль выполняют остаточные незначительные количества матрицы.  [45]



Страницы:      1    2    3    4    5