Испытуемый диод

Cтраница 2

ГНг - генератор синусоидальных напряжений; ЯД - испытуемый диод; СУ - линейный селективный усилитель; ИН - измеритель постоянного напряжения смещения Е ( милливольтметр или вольтметр постоянного тока); ГН2 - генератор постоянного напряжения смещения Е; И - электроизмерительный при бор, градуированный в единицах добротности. [16]

Схема проверки маломощных электровакуумных диодов и изображение на экране ЭЛТ. [17]

На рис. 3 - 45 приведена обобщенная схема включения испытуемого диода. [18]

Охлаждение и нагрев термокамеры, в которую помещается держатель с испытуемым диодом, осуществляется потоком азота, нагретого до необходимой температуры. [19]

Затем измеряют выпрямленный ток при различных частотах диапазона, указанного для испытуемого диода, выражая эти величины в процентах от первоначального измерения. Величина выпрямленного тока в рабочем диапазоне частот должна быть не менее 70 % от величины тока на нижней частоте диапазона. [20]

Падение напряжения на контактной системе и в проводах, с помощью которых испытуемый диод подключается к измерительной схеме, не должно превышать 2 % от максимально возможной величины прямого падения напряжения на диоде. [21]

Принцип измерения максимального импульсного напряжения основан на сравнении амплитуды выброса напряжения, возникающего на испытуемом диоде при подаче импульса прямого тока, с опорным напряжением Uon. Схема сравнения, как и при измерении времени восстановления, также построена на туннельном диоде. [22]

Принципиальная схема измерения параметров вольтам-перной характеристики туннельного диода. [23]

Наиболее простая схема, позволяющая измерить эти параметры диода, показана на рис. 13.12. Переменным резистором г увеличивают ток через испытуемый диод. В момент, когда ток становится равным 1Р, вольтметр, измеряющий падение напряжения на диоде, регистрирует скачок напряжения. [24]

Таким образом, меняя длительность времени задержки импульса и находя порог срабатывания схемы, мы тем самым определяем время восстановления испытуемого диода. [25]

Блок-схема прибора, в котором использован этот метод, показана на рис. 13.15. Импульсы тока, модулированные по амплитуде с частотой 2 кгц, подаются на испытуемый диод; напряжение с диода проходит через фильтр нижних частот ФНЧ, выделяющий огибающую. Селективный усилитель усиливает огибающую, которая затем поступает на амплитудный детектор, в цепь нагрузки которого включается индикаторный прибор И. Калибровка прибора осуществляется включением вместо испытуемого диода прецизионного резистора RK - При измерении необходимо принимать меры к тому, чтобы индуктивность проводников, с помощью которых диод подключается в схему, не вносила заметную погрешность в результаты вмерений. [26]

Общий вид стенда для термоэлектрической тренировки. [27]

На рис. 119 показан общий вид стенда для термоэлектрической тренировки диодов. Испытуемые диоды устанавливают на специальные радиаторы и помещают в большую прямоугольную камеру так, что выводы приборов входят в разъемы, через которые они включаются в электрическую цепь. [28]

Мост уравновешивают переменным резистором R3 по минимуму показаний выходного индикатора И. Затем параллельно резистору Rm включают испытуемый диод ИД, при этом происходит разбаланс моста. [29]

Каждая фаза трансформатора имеет по шесть раздельных вторичных обмоток с отводами. К каждой токовой обмотке подключается один испытуемый диод. [30]

Страницы: 1 2 3 4