Испытуемый диод
Cтраница 3
Метод измерения параметров полупроводниковых диодов заключается в следующем: при измерении обратного тока постоянное напряжение подают в обратной полярности на испытуемый полупроводниковый диод. При измерении прямого напряжения постоянный ток до 100 мА пропускают через испытуемый диод от внутреннего источника питания, а ток до 300 мА - от внешнего источника питания напряжением 6 В. [31]
Нормированный коэффициент шума F смесительного диода обычно определяют расчетным путем по формуле (10.25) по измеренным значениям L и t, причем коэффициент шума усилителя ПЧ принимают равным 1 5 дб. Для некоторых типов диодов нормированный коэффициент шума измеряется непосредственно, как коэффициент шума приемника, в смесителе которого включен испытуемый диод. [32]
Прямое падение напряжения на диоде измеряют при фиксированном значении прямого тока, проходящего через диод. Прямое падение напряжения можно измерять как при постоянном токе по схеме, показанной на рис. 106, так и при переменном, по схеме, показанной на рис. 107, только при этих измерениях необходимо изменить полярность испытуемого диода. [33]
 |
Схема для испытания диодов на перегрузку по прямому току. [34] |
На рис. 113 приведена схема для испытания диодов на перегрузку - по прямому току. Схема для испытания коллекторного и эмиттерного переходов транзисторов выглядит аналогично. Через испытуемый диод ИД пропускается импульс переменного тока заданной величины от источника тока И. Длительность импульса задается дозатором времени ДВ, При нажатии кнопки К сигнал с выхода дозатора открывает управляемый диод Д2, через который пропускается ток перегрузки на испытуемый диод. По окончании импульса с дозатора времени, в момент, когда значение испытательного тока ( полусинусоиды) равно нулю, управляемый диод закрывается. [35]
 |
Схема измерения дифференциального сопротивления. [36] |
Упрощенная схема измерения дифференциального сопротивления изображена на рис. 2.9. В качестве источника тока смещения применен стабилизатор тока, аналогичный изображенному на рис. 2.6. В схему введен трансформатор Тр, с помощью которого осуществляется амплитудная модуляция опорного напряжения стабилизатора. На первичную обмотку трансформатора подается синусоидальный сигнал с выхода звукового генератора ЗГ ( типа ЗГ-10), Частота модуляции 1 кгц. Нагрузкой стабилизатора тока служит испытуемый диод ИД. [37]
Блок-схема прибора, в котором использован этот метод, показана на рис. 13.15. Импульсы тока, модулированные по амплитуде с частотой 2 кгц, подаются на испытуемый диод; напряжение с диода проходит через фильтр нижних частот ФНЧ, выделяющий огибающую. Селективный усилитель усиливает огибающую, которая затем поступает на амплитудный детектор, в цепь нагрузки которого включается индикаторный прибор И. Калибровка прибора осуществляется включением вместо испытуемого диода прецизионного резистора RK - При измерении необходимо принимать меры к тому, чтобы индуктивность проводников, с помощью которых диод подключается в схему, не вносила заметную погрешность в результаты вмерений. [38]
В другое плечо поочередно включают измеряемые стабилитроны. На выходе демодулятора устанавливают вольтметр постоянного тока. На схему подают питание и, подключая испытуемые диоды в модулятор, конденсатором СЗ добиваются равенства выходного сигнала нулю. Это говорит о том, что модулятор сбалансирован на частоте тока возбуждения. Емкость измеряется как при нормальной температуре ( 25 С), так и при положительных и отрицательных. Поскольку ДС АС3, легко определить характеристику изменения емкости полупроводникового конденсатора. Такой подбор дает вполне удовлетворительные результаты. Как правило, 50 или 60 % из партии удается подобрать в пары. Оставшиеся стабилитроны присоединяются к другой партии и вновь подвергают испытаниям, так что практически процент использования стабилитронов оказывается значительно выше. Те стабилитроны, которые не могут быть использованы как полупроводниковые конденсаторы, могут употребляться по своему непосредственному назначению. [39]
Величина дополнительного падения напряжения может быть достаточно большой и зависит от конструкции измерительной установки. Для более точного измерения прямого падения напряжения необходимо из-измеренной величины вычесть величину ошибки. Дополнительное падение напряжения можно измерить отдельно, без испытуемого диода. Для этого клеммы, в которые вставляют диод, закорачивают с помощью металлической пластины. [40]
Поскольку измерение емкости диодов производится при малом уровне сигнала на диоде ( 0 5 - 1 мв), сигнал на входе усилителя не превышает 50 - 100 мкв, поэтому усилитель должен иметь высокую чувствительность и низкий уровень шумов. Паразитная емкость держателя диода должна быть малой. Калибровка прибора ( переключатель П в позиции /) осуществляется подключением эталонного конденсатора Ск. После этого включают испытуемый диод и переключателем / 7j выбирают предел измерения, соответствующий ожидаемой величине емкости диода. На диод подается напряжение смещения. Когда рабочая точка находится в экстремуме вольтамперной характеристики, показание выходного прибора И минимально, так как отсутствует активная проводимость диода. Острота минимума зависит от плавности регулировки смещения. [41]
На испытуемый диод ИД подается постоянное напряжение от источника И. Если в диоде есть короткое замыкание, то падение напряжения на нем становится равным нулю. При этом срабатывает регистрирующее устройство РУ и включает сигнальную лампу СЛ. При обрыве в испытуемом диоде все напряжение источника И прикладывается к выводам диода, а падение напряжения на резисторе отсутствует. В этом случае также срабатывают регистрирующее устройство РУ и лампа СЛ. [42]
С этой целью были исследованы партии импульсных диодов Д-219, КД-503 и других, численностью от 100 до 200 штук. Диоды включались в ту же схему, в которой они работают в ФП. Из вида характеристик можно заключить, что при достаточно большом числе испытуемых диодов пространство между любыми двумя характеристиками можно заполнить как угодно близкими характеристиками. [43]
На рис. 113 приведена схема для испытания диодов на перегрузку - по прямому току. Схема для испытания коллекторного и эмиттерного переходов транзисторов выглядит аналогично. Через испытуемый диод ИД пропускается импульс переменного тока заданной величины от источника тока И. Длительность импульса задается дозатором времени ДВ, При нажатии кнопки К сигнал с выхода дозатора открывает управляемый диод Д2, через который пропускается ток перегрузки на испытуемый диод. По окончании импульса с дозатора времени, в момент, когда значение испытательного тока ( полусинусоиды) равно нулю, управляемый диод закрывается. [44]
Вибростенды бывают двух типов: электромеханические и электродинамические. В электромеханических стендах вибрация площадки создается благодаря вращению разбалансированных дисков, приводимых во вращение электродвигателем. Эти стенды не позволяют получить большой диапазон частот и ускорений. В электродинамических стендах вибрация создается при взаимодействии магнитных полей неподвижного постоянного магнита и подвижной катушки, в обмотку которой подается переменный ток нужной частоты и напряжения. Стенды позволяют получить вибрационные воздействия на испытуемые диоды в широком диапазоне частот и ускорений. [45]
Страницы: 1 2 3 4