Слой - кристалл
Cтраница 1
Слой кристалла, содержащий несколько перекрывающихся дефектов упаковки. [1]
Рассмотрим слой кристалла толщиной dz, расположенный на глубине г ( фиг. [2]
 |
Влияние перекристаллизации на разделительную способность. [3] |
Толщина слоя кристаллов, нарастающих в трубке, составляет 0 1 - 0 15 мм при 6 0 об / мин и ОДлшпри 12 об / мин. Поток кристаллов оценивается также по уравнению ( 1) при работе колонны без верхнего кристаллизатора. [4]
Плавление слоя кристаллов льда при непосредственном контакте с парами воды при низком давлении включает стадию переноса тепла через пленку воды, находящуюся на кристаллах. В отношении подхода к определению коэффициента эффективности эта система аналогична реакции первого порядка на пористом катализаторе. Бриан, Смит и Петри [47] анализировали этот процесс, имеющий важное значение в технике опреснения, исходя из эквивалента модуля Тиле для переноса тепла. [5]
Поверхностный барьер охватывает слой кристалла толщиной около 2 5 мк. Для образования инверсионного слоя необходима возможно большая плотность поверхностных состояний. Экспериментально обнаружено, что лрирода металла оказывает значительное влияние на плотность электронных поверхностных уровней. Наибольшая высота потенциального барьера получается при использовании в качестве металлических контактов индия, цинка, кадмия, олова и меди. [6]
Для предотвращения образования значительного слоя кристаллов на стенках кристаллизатора, затрудняющего теплообмен, внутренние трубы его имеют вращающиеся скребки. [7]
На решетке всегда находится слой кристаллов, к-рые смываются потоком насыщенного р-ра ( снизу вверх), продолжая расти за этот счет. [8]
При движении раствора через слой кристаллов уменьшается пересыщение раствора по высоте аппарата за счет роста находящихся в слое кристаллов. [9]
 |
Схема кристаллизатора со взвешенным слоем. [10] |
При движении раствора через слой кристаллов вследствие их роста снижается пересыщение раствора. Выделяющаяся в процессе роста кристаллов скрытая теплота кристаллизации увеличивает температуру раствора, что, в свою очередь, приводит к изменению равновесной концентрации раствора. [11]
Отмечено, что образование слоя кристаллов СО2 на змеевиках может привести к повышению гидравлического сопротивления регенераторов при недостаточном расстоянии между витками змеевиков вследствие уменьшения живого сечения между змеевиками в зоне вымораживания. [12]
При заполнении ротора толщина слоя кристаллов может составлять в пределах 216 - 240 мм. Нормальный цикл центрифуги длится 5 мин. [13]
Экран этой трубки покрыт слоем кристаллов хлористого калия. При попадании на экран электронного луча на нем образуются темные фиолетово-синие линии, обусловленные поглощением света теми кристаллами хлористого калия, которые подверглись бомбардировке электронами луча. [14]
Атомные функции рассеяния определяют толщину слоя кристалла, в пределах которого происходит извлечение ( экстинкция) излучения из первичного в дифрагированный пучок. Характерные значения глубины проникновения волнового поля в кристалл в диапазоне длин волн 1 - 10 нм-от десятков до единиц микрон. Исключение составляет область углов дифракции вблизи & 45е, где экстинкция для компоненты излучения, поляризованной в плоскости, дифракции, мала, и оно поглощается в кристалле практически без отражения. В таком угловом диапазоне дифракции можно получить отраженный пучок, практически нацело поляризованный в направлении, перпендикулярном к плоскости дифракции и / или измерить поляризацию падающего излучения. [15]
Страницы: 1 2 3 4