Слой - кристалл
Cтраница 2
Поверхность ровная, на срезе видны слои кристаллов. [16]
 |
Блок-схема сканирующего прибора, описанного Рэвенхил-лом и Джеймсом. [17] |
Бензол испаряется, а на пластинке остается слой кристаллов антрацена. Эти измерительные каналы работают практически независимо. [18]
Ухудшение работы выпарных аппаратов наблюдается при отложении слоя кристаллов на теплопередающей поверхности. Для устранения вредного действия инкрустации выпарные аппараты регулярно промывают конденсатом. [19]
За пластиной помещался экран 3, покрытый слоем кристаллов сульфида цинка, способных светиться под ударами быстрых заряженных частиц ( рас. [20]
Переход макро - и микрокомпонентов из раствора в приповерх костный слой кристалла 5 называется потенциалобразующей ад сорбцией. Их переход в слой S или А путем замещения ионов на зывается обменной адсорбцией. Адсорбция во внутреннюю об кладку двойного слоя названа Ратнером первичной, а во внешнюк обкладку двойного слоя - вторичной адсорбцией. Таким образом различают первичную потенциалобразующую, первичную обмен ную и вторичную обменную адсорбцию на ионных кристаллах. [21]
Кристаллизация солей из пересыщенных растворов часто сопровождается образованием слоя кристаллов на внутренней поверхности аппаратов: вакуум-испарителей, холодильников, кипятильников. [22]
Если амплитуда диффузного рассеяния от m - го слоя кристалла будет Чт ( и, и), то полная интенсивность однократного диффузного рассеяния будет получаться в результате сложения либо амплитуд, либо интенсивностей диффузного рассеяния от каждого слоя в зависимости от того, существует ли корреляция между процессами диффузного рассеяния отдельных слоев или нет. Таким образом, в случае плазмонного диффузного рассеяния можно предположить, что плазменная волна распространяется на всю толщину кристалла. [23]
 |
Алгоритм моделирования кристаллизации в сквозных дисперсных потоках. [24] |
Одним из способов создания дисперсной системы является взвешивание слоя кристаллов потоком раствора. [25]
При расчете коэффициента теплопередачи должно учитываться тепловое сопротивление слоя кристаллов парафина, отлагающегося на внутренней поверхности стенки кристаллизатора. [26]
При расчете коэффициента теплопередачи должно учитываться тепловое сопротивление слоя кристаллов парафина, отлагающегося на внутренней поверхности стенки кристаллизатора. [27]
 |
Схема центрифуги полунепрерывного действия. [28] |
Емкость центрифуги, или объем загрузки, определяемый толщиной слоя кристаллов, удерживаемых бортом барабана, составляет 0 36 мъ. Скорость вращения барабана 360 об / мин, и приводится он в действие посредством трансмиссии от электромотора со скоростью вращения 720 об / лшм. [29]
 |
Схема энергетических уровней для молекулярных кристаллов органических красителей. [30] |
Страницы: 1 2 3 4