Слой - кристалл
Cтраница 4
Рассматривая процесс пластической деформации кристалла, мы представляем себе, как один слой кристалла скользит по другому под действием внешней силы, как при этом от слоев отламываются куски и, застревая в трещинах, тормозят движение слоев. [46]
Разгрузку аппарата производят вручную, отбивая с потолка, стен и труб слой кристаллов карбоната аммония. Для прохода в камеру в - стенах ее имеется два люка. [47]
Разгрузку аппарата производят вручную, отбивая с потолка, стен и труб слой кристаллов карбоната аммония. Для прохода в камеру в стенах ее имеется два люка. [48]
Высушенные кристаллы помещают в тигель ( лучше платиновый), причем толщина слоя кристаллов не должна превышать 2 - 3 см, и прокаливают в течение 30 - 40 мин на небольшом пламени горелки. Прокаливаемую массу время от времени помешивают толстой платиновой проволокой. Температуря в тигле должна быть не более 300 С. Соду прокаливают до постоянной массы. [49]
Высушенные кристаллы помещают в тигель ( лучше платиновый), причем толщина слоя кристаллов не должна превышать 2 - 3 см, и прокаливают в течение 30 - 40-мин на небольшом пламени горелки. Прокаливаемую массу время от времени помешивают толстой платиновой проволокой. Температура в тигле должна быть не более 300 С. Соду прокаливают до постоянной массы. [50]
Бассет, Франк и Келлер8 объяснили существование различных квадрантов, предположив, что слои кристаллов представляют собой полые пирамиды, прогнутые вдоль диагоналей пластин. Довольно часто наблюдается треугольная центральная складка, расположенная вдоль короткой диагонали пластины ( см. рис. 29 и 33), появление которой относят за счет сжатия полой пирамиды. Недавно Найгиш и Сван176, а также Ренекер и Гейл203 подтвердили, что во многих случаях пластины в полиэтилене представляют собой сжатые полые пирамиды. [51]
Кристаллораститель снабжен охлаждающей рубашкой и шнеком 3, который удаляет образовавшийся на стенках слой кристаллов. Кристаллы под действием силы тяжести опускаются по колонне 5 к плавителю 7, оседают на сетке 6 и плавятся. Часть образовавшегося расплава выводится из аппарата через люк S в качестве целевого продукта. Остальная часть поднимается вверх в виде флегмы навстречу опускающимся кристаллам, очищая их в результате массообмена. В случае кристаллизации веществ с малой разностью плотностей жидкой и твердой фаз для увеличения скорости осаждения ( движения) кристаллов шнек размещается по всей высоте колонны. Возможны варианты конструкции колонных кристаллизаторов, но принципиально они не будут отличаться от рассмотренной. [52]
Расчеты усложняет определение сопротивления сырьевого потока и границы раздела фаз: поток - слой кристаллов. Процедура связана с нахождением температуры Т ] на поверхности раздела фаз. [53]
В этом периоде процесс комплексообразования зависит от диффузии комллексообразующих молекул на поверхность через слой кристаллов комплекса. Перемешивание системы приводит к разрушению этой кристаллической блокировки, что увеличивает скорость омплексообразования. [55]
Страницы: 1 2 3 4