Диффузный двойной слой
Cтраница 2
Если толщина реакционного слоя больше толщины диффузного двойного слоя, влияние строения двойного слоя невелико ( см. раздел 4 гл. Повышение концентрации ионов водорода в диффузном двойном слое слабо влияет на скорость реакции, ибо реакционный слой простирается далеко за пределы диффузного двойного слоя. [16]
В эмульсиях В / М толщина диффузного двойного слоя ( 1 / %) составляет несколько микрометров, так что здесь при увеличении расстояния между каплями энергия отталкивания убывает намного медленнее, чем в эмульсиях М / В. [17]
В эмульсиях В / М толщина диффузного двойного слоя ( 1 / х) составляет несколько микрометров, так что здесь при увеличении расстояния между каплями энергия отталкивания убывает намного медленнее, чем в эмульсиях М / В. [18]
С ростом напряженности поля окружающий коллоидную частицу диффузный двойной слой сильно деформируется, вытягиваясь вдоль линий поля, благодаря чему с одной стороны частиц плотность заряда резко уменьшается. [19]
При более высоких концентрациях электролита эффективная толщина диффузного двойного слоя становится сравнимой с радиусом пор и даже меньшей. Ионы, одноименные с фиксированными, проникают в поры, и мембрана приобретает свойства жидкостного соединения, усложненного присутствием на стенках пор фиксированных зарядов. Наконец, при довольно высокой концентрации электролита двойной слой сокращается до плотного слоя Гельмгольца, а во внутреннем объеме пор оказывается электронейтральная смесь катионов и анионов. [20]
Катафорез и возникновение потенциалов осаждения обусловлены существованием диффузного двойного слоя. Возникновение в результате электризации при осаждении достаточно большой разности потенциалов для уравновешивания ее токами утечки возможно только при чрезвычайно низкой проводимости жидкости. [21]
Положительный знак указывает на недостаток анионов в диффузном двойном слое. [23]
Использование простых релаксационных методов требует некоторого уяснения роли диффузного двойного слоя. Эта задача становится относительно простой, если воспользоваться приближением апериодической эквивалентной цепи для диффузионного импеданса. [24]
В дальнейшем мы часть потенциала, падающего в диффузном двойном слое, будем обозначать г. В разбавленных растворах толщина диффузной части двойного слоя может, достигать относительно больших величин. В чистой воде она достигает толщины в 1 ц, при толщине плоской части в несколько ангстрем. [25]
В ней рассматриваются термодинамика идеально поляризуемого электрода, теория диффузного двойного слоя и влияние адсорбции ионов и нейтральных частиц на его строение. Изложены общие теоретические основы одностадийных и многостадийных электродных процессов. [26]
 |
Электрокапиллярные кривые амальгам таллия различного состава ( вес. % в 0 5 М сульфате натрия при 21. ( Фрумкин и Городецкая. [27] |
Варьируя состав амальгамы, можно определенным образом изменять структуру диффузного двойного слоя; в ограниченных пределах эта возможность была реализована при изучении влияния структуры двойного слоя на кинетику электродных процессов ( гл. [28]
Вещество О находится в глубине раствора, за пределами диффузного двойного слоя, а п электронов е - в электроде. [29]
Вещество R находится в глубине раствора, за пределами диффузного двойного слоя. [30]
Страницы: 1 2 3 4