Диффузный двойной слой

Cтраница 3

В этой главе рассматриваются эффекты, наблюдаемые при взаимодействии диффузного двойного слоя и внешнего электрического поля в связи с гидродинамическим течением. Тангенциальное электрическое поле может вызвать малое изменение скорости на незначительной толщине двойного слоя, а напряжение сдвига или градиент скорости на поверхности может создавать электрические эффекты. [31]

В разделе 5 исследуется вопрос о влиянии короткодействия на структуру диффузного двойного слоя. [32]

Выведите из уравнений Гуи - Чепмена общее уравнение дифференциальной емкости диффузного двойного слоя. [33]

Плотность электрических зарядов р в 1 см в любой точке диффузного двойного слоя, находящегося в растворе, может быть вычислена с помощью метода, примененного в гл. [34]

Приведенный выше метод Гун для вычисления электрокинетического потенциала в случае диффузного двойного слоя применим и в случае диффузной части двойного слоя по Штерну. [35]

Потенциал как функция расстояния от заряженной поверхности. - плоскость скольжения. [36]

Гун [92] и Чепмен [93] независимо друг от друга предложили теорию диффузного двойного слоя, учитывающую действие теплового движения. Эта теория в принципе аналогична расчету ионной атмосферы по теории Дебая - Хюккеля, появившейся на Шлет позднее. В сущности, величина / k, обозначающая в теории Дебая - Хюккеля радиус ионной атмосферы ( разд. Протяженность диффузного слоя ионов находится в обратной зависимости ( приближенно) от квадратного корня из концентрации данного электролита. Если противоионы имеют большой заряд, то двойной слой сжат значительно сильнее, чем в присутствии проти-воионов малого заряда, так как электрическое притяжение возрастает пропорционально квадрату заряда иона. [37]

В разбавленных растворах первичное электронное облако может быть соизмеримо по размерам с диффузным двойным слоем. Поэтому часто бывает выгодно использовать растворы с высокой ионной силой, чтобы уменьшить в пределах возможного влияние двойного слоя на квазистационарную концентрацию электронов в первичном облаке и выравнять распределение концентрации акцептора в первичном и вторичном облаках. При трактовке результатов, полученных в таких растворах, удобно предположить, что все гидра-тированные электроны локализованы в плоскости, расположенной на расстоянии 8 от поверхности электрода. Хотя физический смысл параметра б не совсем ясен, все же можно весьма приближенно отождествить его со средним расстоянием гидратированных электронов от поверхности. [38]

Наиболее общая теория двойного электрического слоя, объединяющая теорию молекулярного конденсатора и теорию диффузного двойного слоя Гун, была разви та Штерном. Согласно теории Штерна, некоторая часть ионов, компенсирующих заряды на поверхности твердой фазы, находится непосредственно около нее, образуя молекулярный двойной слой типа слоя Гельмгольца ( или, иначе, адсорбционный слой), а остальная часть компенсирующих ионов распределена диффузию в глубь жидкости, образуя слой типа диффузного слоя Гун. При разбавлении раствора структура двойного электрического слоя в целом приближается к типу слоя Гун, а при увеличении концентрации - к слою Гельмгольца. [39]

Они адсорбируются на внешней плоскости Гельмгольца; от этой плоскости в объем раствора простирается диффузный двойной слой. При высоких концентрациях электролита концентрация адсорбированных ионов возрастает и диффузный двойной слой сжимается, при этом его эквивалентный полный заряд оказывается ближе к поверхности металла. Таким образом, свойства границы раздела фаз приближаются к свойствам двойного слоя Гельмгольца. При очень низких концентрациях электролита диффузная часть двойного слоя начинает играть более важную роль. [40]

В обратном пределе v 1 при энергиях Ef ei / электроны свободно проникают сквозь барьер диффузного двойного слоя, и влияние - потенциала на фотоэмиссию пренебрежимо мало. [41]

Второе важное осложняющее обстоятельство, проявляющееся во всех реальных электродных реакциях, состоит в наличии диффузного двойного слоя. Из сказанного выше следует, что частично влияние этого слоя на диффузионный импеданс связано с диффузной адсорбцией или десорбцией заряженных реагентов. [42]

Для нахождения унарной функции распределения ga ( x), дающей полную информацию о детальной структуре диффузного двойного слоя, используют разложения по плазменному ох3 и газовому v1 параметрам. Эти разложения будут относиться, естественно, ко всему спектру коррелятивных функций различных порядков, связанных друг с другом системой уравнений. [43]

В первом случае ( D D0) электростатическая адсорбция ионов отрицательна, преобладают электрические силы отталкивания и диффузный двойной слой растянут по сравнению с двойным слоем по Гун. Напротив, при D та D0 преобладают электрические силы притяжения и диффузный двойной слой сжат по сравнению с двойным слоем по Гун. [44]

В [3] показано, что под действием внешнего электрического поля диэлектрическая частица, на поверхности которой имеется диффузный двойной слой, будет совершать движение, направленное вдоль по полю или в противоположном направлении, в зависимости от знака заряда ее поверхности. [45]

Страницы: 1 2 3 4