Образующийся слой

Cтраница 3

Кроме того, затравочные кристаллы, по-видимому, оказывают эрозионное воздействие на образующийся слой накипи. В случаях, когда имеет место кристаллизация сульфата кальция при непрерывной циркуляции затравки, первоначальный химический и кристаллографический состав ее не играет существенной роли, важна дисперсность затравки, так как ее частицы быстро покрываются сульфатом кальция и присадка становится кристаллически идентичной составу накипи. [31]

В этом исследовании было найдено, что даже при малых степенях заполнения поверхности образующийся слой окисла, имеет термодинамические характеристики объемной закиси никеля. [32]

Микрофотографии поперечных шлифов карбидизированных вакуумных хромовых покрытий толщиной 40 ( а и 60 мкм ( б. ( увеличение 400х. [33]

Исследование процесса карбидизации хромового покрытия показало, что температура и длительность карбидизации определяют глубину образующегося слоя карбидов хрома и его микротвердость. [34]

Итак, будем искать аналитическое решение, определяющее скорость плавления и распределение температур в образующемся слое расплава. Ясно, что эти переменные являются функциями физических свойств твердого полимера, температуры и скорости нагретой пластины и ширины бруса. [35]

Влияние легирующих элементов на твердость азотированного слоя. дОВИЙ рабОТЫ ДеТЗЛбЙ / - алюминий. 2 -хром. 3-никель рЗЗЛИЧЗЮТ ДВС рЭЗНОВИД. [36]

Фазы, получающиеся в азотированном слое углеродистой стали, не обеспечивают достаточно высокой твердости и образующийся слой хрупкий. [37]

Обмазка применяется в основном с целью предохранения стержня от угара в процессе наплавки за счет образующегося слоя жидкого шлака. Во многих случаях в состав обмазки входят также компоненты, необходимые для образования твердого слоя. [38]

Одна из причин, по которой возрос интерес к МДП-структурам, заключается в том, что образующийся слой носителей в полупроводнике проявляет свойства, характерные для двумерных систем. Как впервые отметил Шриффер [1588], инверсионный слой может оказаться настолько тонким, что систему формирующих его электронов нельзя рассматривать как классическую. Очевидно, если длина волны носителя сравнима с расстоянием от границы раздела до классической точки поворота ( - kBT / eFs в простейшем приближении), то движение носителя в направлении, перпендикулярном поверхности, квантуется. [39]

При гетерогенном соосаждении примесь захватывается поверхностью кристалла вследствие адсорбции на активных местах и последующего зарастания вновь образующимся слоем основного вещества. [40]

Скорость образования пленок AgBr и Agl при 40 С. [41]

В растворах элементарной серы, брома и иода скорость потускнения пропорциональна концентрации серы ( независимо от толщины образующегося слоя) или галогенов и определяется скоростью процесса диффузии. [42]

Система уравнений будет описывать релаксационные процессы, связанные с перегруппировкой зарядов на границе слоев, и движение вновь образующегося слоя. [43]

Зависимость производительности сепаратора по бражке от содержания дрожжей в исходной суспензии ( опыты 3. Б. Кристалла. [44]

Многочисленные опыты по тонкослойному центрифугированию суспензий показывают, что производительность сепаратора всегда ниже расчетной еще и потому, что образующийся слой дисперсной фазы уменьшает рабочий объем между тарелками. [45]

Страницы: 1 2 3 4