Cтраница 2
В случае кристаллов, вследствие действия закона анизотропии, а для разных граней различна. [16]
В случае кристаллов, вследствие действия закона анизотропии, аш для разных граней различна. [17]
В случае кристаллов с ковалентными связями экспериментальные определения удельной поверхностной энергии [52] хорошо сходятся с рассчитанными 151 ], исходя из уравнения для аналогичной модели. Для металлов же необходима поправка. [18]
В случае кристалла число их является конечным, если бесконечный кристалл заменяется основной областью - циклической системой достаточно больших, но конечных размеров. [19]
В случае кристаллов с дефектами изучению подлежат системы, которые сложнее как идеальных кристаллов ( обладающих трансляционной симметрией), так и изолированных молекул, так как дефекты возникают в кристалле и не могут рассматриваться независимо от последнего. Построение теории кристаллов с дефектами требует, строго говоря, рассмотрения достаточно большой молекулы ( дефект и окружающие его атомы кристалла-матрицы) в поле остального кристалла. [20]
В случае кристаллов для существования оптической активности необходимо асимметричное расположение атомов или молекул в кристаллической ячейке или же асимметрия молекул, расположенных в узлах решетки. [21]
В случае кристалла, состоящего из малых молекул, последние отделяются от его поверхности в момент растворения за счет их собственного теплового движения и начинают двигаться между молекулами растворителя. [22]
![]() |
Кривые растворимости некоторых солей в воде. [23] |
В случае кристаллов с молекулярными решетками ( например, кристаллы парафина и нафталина), которые растворимы в таких растворителях, как бензин и бензол, силы решетки и силы сольватации в растворе представляют собой слабые вандерваальсовы силы. В растворении таких веществ отмеченная выше тенденция к расширению, несомненно, играет большую роль. Растворение твердого насыщенного углеводорода в жидком, например в гептане, из всех типов растворения больше других напоминает испарение жидкости. Теплота растворения представляет собой разность между теплотой испарения и теплотой сольватации вещества. [24]
В случае кристалла, состоящего из малых молекул, последние отделяются от его поверхности в момент растворения за счет их собственного теплового движения и начинают двигаться между молекулами растворителя. [25]
![]() |
Ориентация эллипсоида тепловых колебаний в моноклинном кристалле. [26] |
В случае кристаллов средних сингонии поверхность Tconst является эллипсоидом вращения. [27]
В случае кристаллов все не так просто - для полного описания необходимо знать также расположение молекул, так как образования из равного числа молекул могут быть чрезвычайно разнообразными по форме. Это многообразие, к счастью, ограничивается практическим исключением большинства возможных форм - остаются лишь те, свободная энергия которых близка к минимальной. Этот отбор происходит как путем обмена молекулами между материнской фазой и зародышевым агрегатом, так и путем обмена местами поверхностных молекул на последнем. [28]
В случае кристаллов КС1 - Na ориентирование производится поляризованным светом с длиной волны 531 нм. Для считывания информации используется свет той же длины волны, но с круговой поляризацией. По оценкам Берта и др. [3.27], каждый бит информации может быть записан за время меньшее, чем 5 икс. Это время может быть улучшено за счет использования более мощных лазеров. [30]