Случай - кристалл
Cтраница 4
В случае идеально изотропного кристалла можно полагать, что такие области имеют сферическую форму, и их рост происходит с постоянной скоростью во всех направлениях. Следствия из такой модели совершенно очевидны. Заключенная внутри изолированных областей или кластеров фаза по строению напоминает жидкость, однако в пределах макрокристалла сохраняется дальний порядок. Доля объема, приходящаяся на неупорядоченные области плотно упакованных агрегатов, не зависит от количества этих областей, если число молекул внутри них остается постоянным. [46]
В обшем случае триклинных кристаллов, когда ребра ячейки пересекаются под углами, отличными от прямого, рассмотрение задачи потребовало бы применения косоугольной системы координат. [47]
В случае кристаллов галогенидов серебра подобные одиночные дефекты решетки должны исчезать еще быстрее вследствие большей подвижности ионов серебра. Действительно, опыты Джонстона [3] по определению увеличения электропроводности монокристаллических и поликристаллических образцов бромида серебра под влиянием пластической деформации по результатам очень схожи с опытами А. В. Степанова и Дьюлая, но увеличение электропроводности не превышало при этом двукратного значения для недеформированного образца, что, видимо, связано с быстрой рекомбинацией избыточных дефектов. [48]
 |
Коэффициенты диффузии Мп - в чистых ( 1 и до-пированных ( 2 кристаллах AgBr ( в и AgCI ( б как функция 1 / 71. [49] |
В случае кристаллов чистых солей на подобных кривых наблюдается излом. Существенное различие в виде диффузионных кривых для случая, когда средой диффузии являются галогениды щелочных металлов ( Nad, KC1), и случая галогенидов серебра ( AgCI, AgBr) объясняется тем, что в галогенидах щелочных металлов термическое разупорядочивание кристаллической решетки выражено слабо, в то время, как в галогенидах серебра при достаточно высоких температурах концентрация дефектов в чистах кристаллах определяется тепловым возбуждением, а не содержанием иновалентных примесей. [50]
В случае кристаллов простых веществ, подобных алмазу, предполагается, что половина атомов является анионами и половина - катионами. В таблицу были включены также ковалентные радиусы по данным Паулинга и Хэггинса. Величины, использованные в качестве исходных для определения ряда ковалентных радиусов, приведены в квадратных скобках. В некоторых случаях ковалентные радиусы не приложимы к реальной кристаллической форме рассматриваемого вещества, и в таких случаях соответствующие величины заключены в круглые скобки. Проявление веществом нормальной валентности в кристалле еще не означает, что следует пользоваться нормальным валентным радиусом, как это ясно из сказанного выше при обсуждении случаев, когда можно употреблять нормальные радиусы. С другой стороны, если кристалл не тетраэдрический, тетраэдрический радиус непосредственно неприложим; однако, если не было очевидно, что надо применять нормальные валентные радиусы, употреблялись тетраэдрические радиусы. [51]
В случае ионных микропористых кристаллов цеолитов природа и распределение молекулярного поля в их каналах значительно сложнее, чем над базисной гранью атомной слоистой решетки графита. Однако в ряде работ [24-29] сделаны попытки вычислить молекулярно-статистическим методом термодинамические характеристики адсорбции: удельный ( на единицу массы сухого цеолита данного состава) удерживаемый объем Vgl и теплоту адсорбции при нулевом заполнении Qt также и для цеолитов. [52]
В случае ионных микропористых кристаллов цеолитов природа и распределение молекулярного поля в их каналах значительно сложнее, чем над базисной гранью атомной слоистой решетки графита. [53]
Рассмотрим далее случай кристалла с частично заполненной зоной проводимости или с частично пустой валентной зоной, Подходящим примером является вырожденный полупроводник п-типа с носителями заряда только в одной зоне Проводимости и с изотропной эффективной массой. Другие случаи, а также вопросы, связанные с многокомпонентной плазмой, рассматриваются Клейном [2.11] в гл. [54]
 |
Смещение нулевого узла. [55] |
Наиболее сложен случай три-клинного кристалла. Здесь необходимо найти и направление и величину сдвига нулевого узла n - ной сетки с оси вра - ЩСНИЯ. [56]
Рассмотрим сначала случай одноосного сегпетоэлек-трического кристалла, у которого спонтанная поляризация возникает только по одному кристаллографическому направлению, и параметр порядка пропорционален компоненте вектора поляризации вдоль этого направления; поляризацию по другим направлениям не будем учитывать вообще. [57]
Она соответствует случаю кристалла размером около 10 мкм в поперечнике. На грани находятся три незавершенных слоя роста, накладывающихся друг на друга. В процессе роста они распространялись слева направо, из чего следует, что поверхность левой грани расположена выше поверхности правой. Однако по другим сечениям рельеф грани оказывается иным, высота каждого слоя роста по его фронту изменяется от одного края грани к другому. [58]
Применительно к случаю кристалла бензола это вопрос о том, почему чисто электронный переход в кристалле представлен в виде резко поляризованного дублета, а электронно-колебательный переход Aig - Elu - в виде слабо поляризованных полос поглощения. При анализе спектров других молекулярных кристаллов этот вопрос также важен. Согласно теоретическим представлениям, на величину экситонного расщепления в первую очередь должна влиять сила осциллятора соответствующего молекулярного поглощения. В случае спектра кристалла бензола этим нельзя объяснить отсутствие экситонного расщепления в М - серии, так как они в несколько раз интенсивнее полос К-серии, расщепление в которых ярко выражено. [59]
Если в случае кристаллов вопрос введения кулоновской энергии в атом-атомную схему расчета может быть предметом дискуссии, то в случае расчетов димеров необходимость добавления энергии прямого электростатического взаимодействия довольно очевидна. [60]
Страницы: 1 2 3 4