Случай - сильный поля
Cтраница 1
 |
Зонная структура в области p - n - перехода туннельного диода.| Вольт-амперные характеристики туннельного диода при различных смещениях р-п-перехода. [1] |
Случай сильных полей в обычном p - n - переходе реализуется лишь при больших напряжениях. В / см) приводит к возникновению добавочных носителей заряда, число которых значительно увеличивается с ростом поля, как это было показано в гл. Одним из механизмов, приводящих к увеличению тока, является туннельный эффект, который и реализуется в туннельных диодах. В туннельном диоде применяют полупроводники, содержащие примеси в количестве 1018 - 1020 см-3. Уровень Ферми при таких концентрациях уже находится не в запрещенной, а внутри разрешенных зон. [2]
В случае сильных полей расщепление Dq настолько велико, что взаимодействие электронов нарушено и место квантовых чисел L и S занимают степени заселенности t2g - и ей-орбит. Первоначально происходит заполнение / 2й - оболочки и только после того как в ней появятся шесть электронов, может начаться заполнение ей-орбит. [4]
В случае сильных полей комбинация формул (2.4), (2.5) и (43.19) приводит к определению оптической анизотропии в этой ситуации. [5]
 |
Расщепление d - орбит в октаэдрическом поле. [6] |
В случае сильных полей расщепление Dq настолько велико, что взаимодействие электронов нарушено и место квантовых чисел L и S занимают степени заселенности tzg - и ея-орбит. Первоначально происходит заполнение - оболочки и только после того как в ней появятся шесть электронов, может начаться заполнение еа-орбит. [7]
В случае сильных полей следует учитывать возможное ухудшение однородности поля из-за насыщения материала полюсных наконечников. [8]
В случае сильных полей и скоростей, сравнимых со скоростью света ( с), пользуются созданной А. [9]
Таким образом, в случае сильных полей обнаружительная способность не зависит от магнитного поля. Кроме того, здесь желательна низкая подвижность электронов в противоположность случаю слабого поля. Однако низкие подвижности подразумевают необходимость использования очень высоких полей для выполнения условия сильного поля. [10]
Рассмотрим два предельных случая - случай слабых и сильных полей. [11]
Таким образом, в релятивистской области в случае достаточно сильных полей постановка одночастичной задачи теряет физический смысл. Формально неприменимость одночастичного подхода в этом случае связана с невозможностью разбиения-решений волнового уравнения на независимые положительно - и отрицательно-частотные части ( из-за переходов между ними), являющегося существенным элементом в интерпретации решений волнового уравнения, сопоставляемых состояниям одной частицы. [12]
Рассмотрим два предельных случая - случай слабых и случай сильных полей. [13]
Выбор первого аргумента функции / диктуется условием (148.12), разделяющим случаи слабых и сильных полей ( причем, согласно (148.14), заменено / 3 7 /); этот аргумент пробегает все значения от малых до больших. Аргумент же t вблизи точки перехода всегда мал, и для получения главного члена в функции r / ( t, К) надо положить его равным нулю. [14]
Выбор первого аргумента функции / диктуется условием ( 148 12), разделяющим случаи слабых и сильных полей ( причем, согласно ( 148 14), заменено § Y - §) этот аргумент пробегает все значения от малых до больших. Аргумент же t вблизи точки перехода всегда мал, и для получения главного члена в функции т ] ( t, ft) надо положить его равным нулю. [15]
Страницы: 1 2 3