Случай - сильный поля
Cтраница 2
Вследствие того что оба эти иона представляют собой системы d8, следует ожидать, что в случае сильных полей лигандов их комплексы, например [ Ni ( CN) 4 ] 2 - и [ Ni ( SCN) 4 ] 2 -, будут обладать преимущественно плоской квадратной структурой. [16]
Предположение, что поляризуемость линейно зависит от электрического поля, справедливо лишь в первом приближении и недействительно в случае сильных полей. [17]
Освещая ультрафиолетовым светом n - гептан, Дорнт также установил наличие усиления тока при значениях поля до 40 кв - см 1; однако этот эффект исчезает в случае более сильных полей. [18]
 |
Схема резонансного метода для определения ц - i и 12. [19] |
Соотношение (13.4) строго справедливо только в области слабых магнитных полей для частот, значительно меньше тех, при которых имеет место ферромагнитный резонанс. В случае сильных полей эта зависимость имеет более сложный вид, так как комплексная проницаемость зависит от частоты и напряженности магнитного поля. [20]
Так, например, задачи о магнитных экранах могут быть рассмотрены методами электростатики. Если зависимость проницаемости от величины поля известна, то в случае сильных полей или насыщения можно применить метод последовательных приближений. Сначала находится решение в предположении, что проницаемость постоянна. Это решение используется для определения проницаемости в разных точках. [21]
Как видно из выражений (3.20) и (3.23) для v в случае слабых и сильных полей и выражения для s, предэкспоненциальный множитель в зависимости v ( E) оказывается пропорциональным Е2 в случае слабых полей и не зависящим от поля в случае сильных полей. Указанное изменение предэкспоненциального множителя в выражении v ( E) в предположении независящего от поля предэкспоненциального множителя может трактоваться и как некоторое увеличение с полем поля активации 5, которое отмечалось в эксперименте. [22]
На использовании соотношения (10.1) по существу построены все методы измерения напряженности электрического поля. Величину последней определяют или непосредственно с помощью вольтметра, амперметра, ваттметра ( в случае сильных полей / или косвенно. [23]
На использовании соотношения (10.1) по существу построены все методы измерения напряженности электрического поля. Величину последней определяют или непосредственно с помощью вольтметра, амперметра, ваттметра ( в случае сильных полей; или косвенно. [24]
Вычисление таких слагаемых представляет собой довольно трудную в реалистической постановке задачу. Эту задачу удается решить для кондепсатного поля вида (4.8), рассмотрению которого посвящается раздел V.2. Разумеется, предположение, что в случае сильных полей остается только одна гармоника поля, совершенно необосновано и все результаты, получаемые таким способом, носят качественный характер. [25]
Как видно из выражений (3.20) и (3.23) для v в случае слабых и сильных полей и выражения для s, предэкспоненциальный множитель в зависимости v ( E) оказывается пропорциональным Е2 в случае слабых полей и не зависящим от поля в случае сильных полей. Указанное изменение предэкспоненциального множителя в выражении v ( E) в предположении независящего от поля предэкспоненциального множителя может трактоваться и как некоторое увеличение с полем поля активации 5, которое отмечалось в эксперименте. [26]
Если это взаимодействие относительно слабое и тела движутся медленно по сравнению со скоростью света в вакууме с, то справедлив всемирного тяготения закон Ньютона. В случае сильных полей и скоростей, сравнимых с с, необходимо пользоваться созданной А. В основе ОТО лежит принцип эквивалентности - локальной неразличимости сил тяготения и сил инерции, возникающих при ускорении системы отсчета. [27]
Эйнштейна, так и ее наблюдат. Следует отметить, что пока эксперим. Ньютона на случаи сильных полей, но отличную от общей теории относительности. [28]
Приведенные результаты показывают, что интегральный эффект ХПЯ в слабых магнитных полях является результатом довольно сложной спиновой динамики РП, взаимно согласованного движения электронных и ядерных спинов. Последовательное рассмотрение синглет-триплетной эволюции РП [56, 59, 86] вскрывает многообразие ситуаций, с которыми можно столкнуться при анализе ХПЯ в слабых полях. Видно, что в отличие от случая сильных полей принципиальное значение в формировании ХПЯ в слабых полях может иметь обменное взаимодействие радикалов пары. [29]
В ЯМР в сильных полях каждое собственное состояние t) гамильтониана характеризуется магнитным квантовым числом Mt, a каждой когерентности t) ( u ставится в соответствие порядок когерентности р и М, - Ми. При свободной прецессии как Mt, так и р и являются хорошими квантовыми числами. Это обусловлено тем, что в случае сильных полей гамильтониан имеет вращательную симметрию и собственное состояние / преобразуется по неприводимому представлению Mt одномерной группы вращений. [30]
Страницы: 1 2 3