Кремниевый плоскостной диод

Cтраница 1

Вольт-амперная характеристика стабилитрона а и схема стабилизатора напряжения ( б. [1]

Кремниевые плоскостные диоды рассчитаны на допустимые прямые токи от 0 5 до 1600 А. Падение напряжения на диодах при этих токах не превышает 1 5 В. Допустимое обратное напряжение кремниевых диодов ( до 1600 В) значительно превосходит аналогичный параметр германиевых диодов. [2]

Вольтлмперняя характерн стика германиевого диода Д7 / К. [3]

Кремниевые плоскостные диоды получаются путем сплавления кристалла кремния с алюминием. Кремниевые и германиевые диоды оформляются в металлическом сварном корпусе. [4]

Кремниевые плоскостные диоды с нормированным напряжением пробоя и резким нарастанием обратного тока в точке пробоя ( рис. 9 - 29) используются как стабилитроны. [5]

Кремниевые плоскостные диоды обладают такими характеристиками, которые дают возможность применять их в качестве стабилизирующих элементов так же, как стабилитроны. [6]

Кремниевые плоскостные диоды получаются путем вплавления алюминия в кристалл кремния. Кремниевые и германиевые диоды оформляются в металлическом сварном корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами. [7]

Кремниевый плоскостной диод типа 202 состоит из кристалла кремния и вплавленного в него электрода из алюминия. [8]

Вольтамперная характеристи - Рис. IX-11. Вояьтамнерная характери-ка кремниевого стабилитрона., стика туннельного диода. [9]

В мощных кремниевых плоскостных диодах применяется трехслойная р - и-структура. В кристалл кремния с одной стороны вплавляется алюминий, с другой - сурьма. Атомы алюминия, диффундируя в кремний, образуют / - слой, а атомы сурьмы - n - слой Глубина-диффузии такова что между р - и - слоями остается нетронутый слой кремния, роль которого сводится к увеличению толщины слоя результирующего р - n - нврехода. Это позволяет увеличить обратное напряжение. Однако прямое падение напряжения при этом увеличивается по сравнению с германиевыми диодами. [10]

Стабилитроны представляют собой кремниевые плоскостные диоды, напряжение на которых в области электрического пробоя слабо зависит от тока. Они предназначены для стабилизации уровня постоянного напряжения. Указанный электрический пробой объясняется тем, что при [ / ер Uo6p пр электрическое поле в p - n - переходе становится столь сильным, что в состоянии сообщить носителям заряда энергию, достаточную для ударной ионизации нейтральных атомов. [11]

Структура существенно сужена область объемного за-р-я-перехода диода ряда. Это сужение вызывается рядом фак-с контролируемым ла - торов ( например, структурными нарушения-винообразованием. ми различного рода загрязнениями поверх-7 т л. аая б. асть ности и т. п. и может быть весьма значи. [12]

Электронно-дырочные переходы кремниевых плоскостных диодов изготовляют вплавлением алюминия в кристалл кремния п-ти-па или вплавлением сплава олова с фосфором либо золота с сурьмой в кристалл кремния р-типа. Переходы получают также путем диффузии фосфора в кристалл кремния р-типа либо путем диффузии бора в кристалл n - типа. Для маломощных кремниевых плоскостных диодов наибольшее распространение получил первый из перечисленных методов. [13]

Фридман и др. рассмотрели кремниевый плоскостной диод с р - п-переходом, состоящий из материала базы n - типа с высоким удельным сопротивлением и сильно легированного материала р-типа с низким удельным сопротивлением. Они считают, что вопрос о соответствующем выражении для прямых характеристик при высокой плотности тока остается открытым. [14]

Вольтамперные характеристики кремниевого диода Д211 при различных температурах окружающей среды. [15]

Страницы: 1 2 3 4