Кремниевый плоскостной диод
Cтраница 2
Вольтамперные характеристики одного из кремниевых плоскостных диодов ( Д211) приведены на рис. 4.8. Обратная ветвь характеристики кремниевого диода должна иметь токи насыщения в миллион раз меньше, чем у германиевых диодов. [16]
Вольт-амперные характеристики одного из кремниевых плоскостных диодов ( Д211) приведены на рис. 3.41. Кремниевые плоскостные диоды различных типов рассчитаны на различные допустимые прямые токи - от 0 5 до 1600 А. Падение напряжения на диодах при этих токах не превышает обычно 1 5 В. [17]
 |
Совмещенные вольт-амперные характеристики диодов. [18] |
На рис. 6 изображены вольтамперные характеристики кремниевых плоскостных диодов Д226, Д204, Д214А, ВК-Ю и Д220 в относительных координатах. Каждая характеристика получена как средняя из 10 шт. Характеристики совмещены в - д точке с ординатой 10, соответствующей номинальному выпрямленному току. [19]
В СССР разработаны и внедрены в производство кремниевые плоскостные диоды. [20]
 |
Конструкция кремниевого стабилитрона.| Вольтамперная характеристика кремниевого стабилитрона. [21] |
Явление электрического пробоя, опасное для обычных диодов, находит полезное применение в кремниевых плоскостных диодах, получивших название кремниевых стабилитронов, или опорных диодов. [22]
Вольт-амперные характеристики одного из кремниевых плоскостных диодов ( Д211) приведены на рис. 3.41. Кремниевые плоскостные диоды различных типов рассчитаны на различные допустимые прямые токи - от 0 5 до 1600 А. Падение напряжения на диодах при этих токах не превышает обычно 1 5 В. [23]
В отличие от обратного напряжения ( каким является напряжение стабилизации) падение напряжения на кремниевом плоскостном диоде в прямом направлении уменьшается с ростом температуры. Этим явлением пользуются для улучшения температурной стабильности напряжения стабилизации. С этой целью последовательно с диодом, выполняющим функцию стабилизирующего элемента, включают другой диод, но так, чтобы его выводы имели обратную полярность по отношению к первому. [24]
В этом случае при использовании в качестве ПП3 германиевого транзистора целесообразно в его эммиттерную цепь включить кремниевый плоскостной диод Дя ( или стабилитрон) в прямом направлении, что смещает уровень срабатывания схемы защиты приблизительно на 0 7 в. Через этот диод желательно пропускать небольшой ток ( 2 - 3 ма), определяемый сопротивлением Rr. Цепочка из конденсатора Ct и диода Дг, включенная параллельно обмотке реле, исключает эффект зуммирования, который может иметь место последующим соображениям. [25]
 |
Устройство германиевого им-пул Ьсного диода. [26] |
Германиевые и кремниевые плоскостные диоды изготавливают обычно сплавным методом. В пластинку тг-германия вплавляют таблетку индия, а в пластинку п-кремния - алюминий. Нижняя часть пластины припаивается к кристаллодержа-телю или к корпусу. Припой, содержащий сурьму, обеспечивает омический контакт. Мощные кремниевые диоды иногда изготавливают путем диффузии примесей, ( бора или фосфора) в кри-сталл п - или р-кремния. [27]
 |
Устройство германиевого им-пул Ьсного диода. [28] |
Германиевые и кремниевые плоскостные диоды изготавливают обычно сплавным методом. В пластинку тг-германия вплавляют таблетку индия, а в пластинку п-кремния - алюминий. Нижняя часть пластины припаивается к кристаллодержа-телю или к корпусу. Припой, содержащий сурьму, обеспечивает омический контакт. Мощные кремниевые диоды иногда изготавливают путем диффузии примесей, ( бора или фосфора) в кри-сталл п - или р-кремния. [29]
 |
Принцип устройства мезадиода.| Вольт-амперная характеристика кремниевого стабилитрона при обратном токе. [30] |
Страницы: 1 2 3 4