Кремниевый плоскостной диод

Cтраница 3

Как было показано, вольт-амперная характеристика полупроводниковых диодов в области электрического пробоя имеет участок, который может быть использован для стабилизации напряжения. Такой участок у кремниевых плоскостных диодов соответствует изменениям обратного тока в широких пределах. В настоящее время выпускаются исключительно кремниевые стабилитроны многих типов. Их также называют опорными диодами, так как получаемое от них стабильное напряжение в ряде случаев используется в качестве эталонного. На рис. 3 - 19 дана типичная вольт-амперная характеристика стабилитрона при обратном токе, показывающая, что в режиме стабилизации напряжение меняется мало. [31]

Номинальное напряжение стабилизации кремниевого плоскостного диода увеличивается вместе с ростом температуры. [32]

Применяемые в качестве стабилизирующих элементов кремниевые плоскостные диоды могут имзть номинальные напряжения стабилизации до 100 в. Стандартного определения области стабилизации пока не существует. Когда, эта область находится в зоне высоких напряжений, она выявляется более четко, чем в зоне низких обратных напряжений. Именно по этой причине напряжение стабилизации диода, когда оно имеет величину порядка 100 в, определяется как обратное напряжение, при котором обратный ток повышается до 200 - 300 мка. Если номинальное напряжение стабилизации диода имеет величину порядка нескольких вольт, то оно определяется как обратное напряжение, которое вызывает повышение обратного тока до 2 ма и более. [33]

Применяемые в ключах диоды должны иметь высокое обратное и низкое прямое сопротивление, высокую стабильность и небольшую емкость, которая ограничивает верхний предел частоты переключения. Указанным требованиям в большей степени удовлетворяют кремниевые плоскостные диоды. [34]

Выделение синхроимпульсов, отличающихся от измерительных по длительности. а - схема. б - временные диаграммы. [35]

Диоды, используемые в ключевых схемах, должны иметь большое обратное сопротивление, малое прямое сопротивление, стабильную характеристику при изменении внешних условий и малую емкость. Этим условиям удовлетворяют в лучшей степени вакуумные и кремниевые плоскостные диоды. [36]

Внешний вид типового селенового диода.| Вольт-амперные характеристики селенового выпрямителя, предназначенного для использования в магнитных усилителях. [37]

Был разработан ряд устройств, предназначенных для выпрямления, но в магнитных усилителях в огромном большинстве случаев используется только три вида диодов: селеновые, плоскостные германиевые и плоскостные кремниевые. Эти диоды разрабатывались и выпускались на рынок последовательно в различные моменты времени; причем появление одного вида делало излишним использование другого. Кремниевые плоскостные диоды появились в самое последнее время и вполне вероятно, что они в ближайшем будущем полностью заменят первые два вида выпрямителей в магнитных усилителях. [38]

Структура существенно сужена область объемного за-р-я-перехода диода ряда. Это сужение вызывается рядом фак-с контролируемым ла - торов ( например, структурными нарушения-винообразованием. ми различного рода загрязнениями поверх-7 т л. аая б. асть ности и т. п. и может быть весьма значи. [39]

Электронно-дырочные переходы кремниевых плоскостных диодов изготовляют вплавлением алюминия в кристалл кремния п-ти-па или вплавлением сплава олова с фосфором либо золота с сурьмой в кристалл кремния р-типа. Переходы получают также путем диффузии фосфора в кристалл кремния р-типа либо путем диффузии бора в кристалл n - типа. Для маломощных кремниевых плоскостных диодов наибольшее распространение получил первый из перечисленных методов. [40]

Электронно-дырочные переходы на кремнии осуществляются вплавлением алюминия в кристалл кремния с электронной электропроводностью или вплавлением сплава олова с фосфором либо золота с сурьмой в кристалл кремния с дырочной электропроводностью. Переходы могут быть получены также путем диффузии фосфора с одной стороны кристалла кремния р-типа либо путем диффузии бора в кристалл n - типа. Для маломощных кремниевых плоскостных диодов наибольшее распространение получил первый из перечисленных методов. [41]

Схема 1 - 6 представляет собой экспериментальный балансный ( уравновешенный) модулятор, который может применяться для преобразования сигналов постоянного тока очень низкого уровня в сигналы переменного тока. Схема построена на RC-моств, как показано в упрощенном виде на фиг. Конденсаторами служат кремниевые плоскостные диоды с нулевым током смещения. [42]

Это сопротивление в зависимости от величины управляющего потенциала Fynp и от типа диодов может изменяться от нескольких ом до нескольких мегом. Диоды, используемые в ключе, должны иметь высокое обратное сопротивление, низкое прямое сопротивление, высокую стабильность и небольшую емкость, которая ограничивает их применение на высоких частотах переключения. Указанным требованиям в большей степени удовлетворяют кремниевые плоскостные диоды. [43]

В последнее время в магнитных усилителях очень широко используются германиевые и кремниевые диоды. Физические и электрические характеристики этих выпрямителей подобны. Основное различие между ними состоит в том, что кремниевый плоскостной диод имеет меньший обратный ток и может работать при более высоких температурах. [44]

Структура перехода точечного диода. 1 - игла. 2 - переход. [45]

Страницы: 1 2 3 4