Смещение - переход
Cтраница 2
Инжекционный диод представляет собой выпрямляющий р-л-переход, свечение которого обусловливается рекомбинацией носителей тока в нем при смещении перехода в прямом направлении. [16]
Аналогично поток электронов, поступающий в базовый слой MI, понижает потенциал этого слоя и приводит к смещению перехода j в прямом направлении. При этом из эмиттерного слоя р в базовый слой п инжектируются дырки, часть которых достигает коллекторного перехода и перебрасывается электрическим полем этого перехода в базовый слой рч. [17]
Таким образом, при наличии шунтировки не все дырки, поступающие в базу р2, приводят к смещению перехода / з в прямом направлении. Вследствие этого при одной и той же плотности обратного тока коллекторного перехода переход / 3 смещается в прямом направлении при наличии шунтировки несколько слабее, чем при отсутствии шунтировки. [18]
В действительности, если транзистор ранее находился в активной области или в насыщении, то даже при смещении переходов в обратном направлении в области базы еще есть носители. [19]
 |
Схема регулятора напряжения 2.| Схема регулятора напряжения РР132 - А. [20] |
Стабилитроны VD2 - VD4 в цепи баз транзисторов VT2, VT3 обеспечивают за счет падения напряжения на них смещение переходов база - эмиттер в обратном направлении, чем достигается четкость закрывания транзисторов. [21]
 |
Распределение ри2 вдоль оси газовых струй. [22] |
Что касается наложенных механических возмущений, то они, как и другие ( например, акустические воздействия), приводят к смещению перехода в область малых значений чисел Рейнольдса. При достаточно больших значениях числа Струхаля характерный экстремум зависимости т ( Re) полностью вырождается. [23]
Инжекционные светодиоды представляют собой излучающий р - - переход, свечение которого вызвано рекомбинацией носителей тока ( дырок и электронов) при смещении перехода в прямом направлении. [24]
Ток / ко называют обратным током коллектора, так как по направлению он противоположен току коллектора, который имел бы место при смещении перехода в прямом направлении. Иногда / К0 называют тепловым током коллектора, так как образующие его неосновные носители появляются под воздействием тепловой энергии. [25]
Поскольку отсутствуют p - n - переходы, включенные с каналом последовательно, RDS играет чисто пассивную роль, и в приборе нет напряжения смещения перехода. Отсутствие напряжения смещения является замечательной характеристикой полевого транзистора, которая позволяет использовать его для переключения сигналов низкого уровня. [26]
Это достигается в полупроводниковом диоде с сильнолегированными р - и - областями при приложении к нему прямого напряжения, как указано на рис. 23.11. При смещении перехода в прямом направлении электроны из - области диффундируют в р-область. За счет этих электронов резко увеличивается населенность зоны проводимости р-проводника, и она может превышать концентрацию электронов в валентной зоне. [27]
 |
S. 4. Электролюминесцентный конденсатор. [28] |
Инжекционные светодиоды ( рис. 15.5) представляют собой излучающий р - n - переход, свечение которого обусловлено интенсивной рекомбинацией в нем носителей тока при смещении перехода в прямом направлении. [29]
Стадия рассасывания избыточных носителей, накопленных у р-п переходов, количественно характеризуется временем рассасывания tvac, определяемым как время, прошедшее с момента подачи запирающего импульса до момента смещения р-п переходов в обратном направлении. В схемах на униполярных транзисторах эта стадия отсутствует. После запирания р-п переходов и перекрытия канала униполярного транзистора начинается стадия формирования среза выходного импульса, которая количественно характеризуется двумя величинами: временем задержки / а, определяемым как время, в течение которого срез выходного импульса изменяется на 0 1 от своего амплитудного значения, и длительностью среза выходного импульса tcp, представляющей собой время, в течение которого выходной импульс спадает от 0 9 до 0 1 своего амплитудного значения. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5