Смещение - переход
Cтраница 5
Переходный слой затрудняет иногда оценку фазового состава смеси. Действительно, при минимальной толщине переходного слоя в системе полистирол - полиметилметакрилат, равной 50 А [13], объем переходного слоя достигает 30 % от общего количества полистирола, если размер частиц последнего составляет 1000 А. Поэтому релаксационные переходы в смесях полистирола, соответствующие каждой фазе, могут быть смещены по температурной шкале. Так, Такаянаги [15] отмечает смещение переходов на несколько градусов в смеси полистирол - полибутадиен, хотя и указывает, что это явление, возможно, объясняется различием термических коэффициентов расширения полимерных фаз, создающим внутренние напряжения, изменяющие / температуру стеклования. [61]
Применение конденсаторов на основе р-и-перехода ограничивается двумя паразитными параметрами: эквивалентным последовательным сопротивлением и параллельной емкостью. Эта схема содержит полезную емкость С, паразитную емкость изолирующего перехода коллектор - подложка Ci, диоды Д, Д2, образующие полезную и паразитную емкости, и последовательное сопротивление R. Для получения максимального коэффициента передачи сигнала от вывода / к выводу 2 необходимо стремиться к получению максимального отношения Ci / Cz. На рис. 2.35 6 показана зависимость этого отношения от запирающего напряжения V, приложенного к переходу коллектор - подложка, для двух значений напряжения смещения перехода база - коллектор. [63]
При больших / см коэффициенты а и 2, зависящие от тока, достигают значений, достаточных для включения тиристора. За счет этого эффекта в динамическом режиме напряжение включения может быть существенно уменьшено. Уменьшение напряжения включения зависит как от амплитуды импульса анодного напряжения, так и от скорости его нарастания. Наиболее эффективным способом ослабления эффекта dU / dt является использование шунтирования перехода ПЗ ( см. рис. 6.3, а) с помощью добавочного резистора. В этом случае через переход ПЗ может протекать лишь незначительная часть тока смещения перехода П2 и влияние этого тока на коэффициент 02 / г2 - р2 - 1-транзистора ослабляется. [64]
 |
Схема теоретической модели полевого. [65] |
В нормальном режиме полярности напряжений, прикладываемых к затвору и к стоку, противоположны. Поэтому падение напряжения вдоль канала, вызываемое проходящим по нему током, создает дополнительное обратное смещение управляющего р-п перехода, возрастающее в направлении к стоку, и толщина обедненного слоя у стокового конца канала оказывается больше, чем у истокового. Управляющий р-п переход часто изготовляется по диффузионной технологии, приводящей к неравномерному по сечению канала легированию полупроводника, причем плотность объемного заряда в обедненном слое и концентрация основных носителей в канале изменяются в направлении, перпендикулярном к плоскости затвора. Таким образом, в отличие от биполярного транзистора для анализа работы полевого транзистора одномерная модель становится непригодной и приходится учитывать изменение некоторых параметров по крайней мере в двух измерениях. Вдоль канала ( в направлении оси х на рис. 2 - 72) учитывают изменение напряжения смещения р-п перехода С / п и толщины обедненного слоя Л, а поперек канала ( по оси у) - переменную плотность электрических зарядов. [66]
Страницы: 1 2 3 4 5