Смещение - переход
Cтраница 3
Так как характер вязкоупругих функций в переходной зоне при умеренных степенях разбавления изменяется не очень сильно ( специфические изменения вида этих функций будут рассмотрены ниже), то основной эффект пластификации при постоянной температуре заключается в смещении перехода в сторону меньших значений времени или более высоких частот. Качественно это может быть выражено изменением мономерного коэффициента трения Co-Иллюстрацией весьма значительного смещения по оси частот могут служить показанные на фиг. [31]
 |
Переходный процесс. [32] |
Как уже отмечалось несколько выше, одна я-секция Линвилла неверно описывает переходный ( процесс при запирании транзистора. При смещении перехода в обратном направлении имеет место скачок тока и напряжения на переходе. С ростом числа л-секций увеличивается точность описания процессов, происходящих в базе, так как учитывается заряд во всей базе, а не только у переходов. [33]
 |
Схема переключения и осциллограммы входного напряжения и тока через диод. [34] |
Происходит накопление дырок или, поскольку дырки можно считать заряженными частицами, накопление заряда. При смещении р-п перехода в обратном направлении дырки из базовой области беспрепятственно переходят в р-область. Величина возникающего вследствие этого обратного тока зависит от концентрации дырок около р-п перехода со стороны базы. Чем больше эта концентрация, тем больше и обратный ток, при этом безразлично, что явилось причиной возрастания числа свободных дырок - - воздействие света, повышение температуры или эффект накопления заряда. [35]
Это вызывает смещение среднего перехода в прямом направлении, а двух крайних переходов - в обратном. Второй переход открыт, и падение напряжения на нем мало. Поэтому можно предположить, что обратное напряжение [ 70бр распределяется главным образом по первому и третьему переходам. Однако в процессе изготовления тиристора концентрация примеси в р2 - и 2-слоях обеспечивается достаточно высокой по сравнению с концентрацией в /) - и пгслоях, и третий переход получается узким. С приложением обратного напряжения третий переход вступает в режим электрического пробоя при напряжении, существенно меньшем рабочих напряжений. Поэтому максимально допустимое обратное постоянное напряжение ( точка а на рис. 6.2) Uo6pMaKC соответствует напряжению пробоя для первого перехода. [36]
Омане - максимальная измеренная разность между поступившими и теоретическими интервалами, разделяющими любой ХМВ и стартстопный переход. При этом смещение стартстопного перехода условно полагается равным нулю, а теоретические интервалы определяются относительно этого нулевого периода. [37]
Обратная ветвь ( участок а - О на рис. 6.2) вольт-амперной характеристики тиристора соответствует подключению внешнего напряжения орицательным полюсов к аноду и положительным - к катоду. Это вызывает смещение среднего перехода в лрямом направлении, а двух крайних переходов - в обратном. Второй переход открыт, и падение напряжения на нем мало. Поэтому можно предположить, что обратное напряжение / 70вр распределяется главным образом по первому и третьему переходам. Однако в процессе изготовления тиристора концентрация примеси в pi - и / 12-слоях обеспечивается достаточно высокой по сравнению с концентрацией в р - и rti - слоях, и третий переход получается узким. С приложением обратного напряжения третий переход вступает в режим электрического пробоя при напряжении, существенно меньшем рабочих Напряжений. [38]
Приложение внешнего напряжения называют смещением р-п перехода. Различают два случая: смещение перехода в прямом и в обратном направлениях. [39]
 |
Структура биполярного транзистора.| Схемы транзисторов ( а и их условное обозначение ( б. [40] |
Переход между эмиттером и базой обычно называют эмиттер-ным, а между коллектором и базой - коллекторным. В зависимости от напряжения смещения переходов различают три режима включения: активный, отсечки и насыщения. [41]
 |
Переход типа п-л.| Омический переход. [42] |
В этих переходах практически отсутствует инжекция неосновных носителей заряда в высокоомную область. Например, при прямом направлении смещения перехода п-п: плюс - к n - слою, минус - к я - слою, потенциальный барьер для электронов слоя п уменьшится и ток через переход будет обусловлен основными носителями заряда. При обратном включении в высокоомный полупроводник будут инжектироваться дырки, однако их концентрация в слое л мала и этой инжекцией можно пренебречь. [43]
Через резистор R2 протекает только ток делителя. Падение напряжения на этом резисторе обеспечивает смещение перехода эмиттер - база в прямом направлении. [44]
 |
Минимумы волы вроиог димости GaAs1 jJPir для нрявдор ( Г, кривая 1 и непрямого ( iti кривая S переходов в зависимости от состава твердого раствора. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5