Обратное смещение - переход
Cтраница 1
Обратное смещение перехода затвор - канал вызывает уменьшение проводимости канала вследствие расширения областей объемного заряда. [1]
 |
Зависимость барьерной емкости от напряжения на / j - л-переходе. [2] |
При обратном смещении перехода диффузионная емкость отсуствует и полная емкость состоит только из барьерной емкости. [3]
При обратном смещении перехода коллектор - база диод Шоттки также имеет обратное смещение. [4]
При обратном смещении р-п перехода суммарная напряженность электрического поля перехода возрастает, поэтому возрастает заряд двойного электрического слоя и ширина запирающего слоя. [6]
При обратном смещении р-п перехода расширяется двойной электрический слой, обедненный подвижными носителями заряда, и сужается канал, проводящий ток. По мере роста Ucn увеличивается сопротивление канала, рост тока стока замедляется, а при перекрытии переходом сечения канала при увеличении Уси ток 1с практически не изменяется. В этом режиме процессы в МДП-транзисторе аналогичны процессам в полевом транзисторе с р-п переходом. [7]
При обратном смещении р-п перехода суммарная напряженность электрического поля перехода возрастает, поэтому возрастает заряд двойного электрического слоя и ширина запирающего слоя. [9]
 |
Структура ( а и стоковые характеристики ( б - со встроенным каналом, в - о индуцированным каналом МДП-транзисторов. [10] |
При обратном смещении р-п перехода расширяется двойной электрический слой, обедненный подвижными носителями заряда, и сужается канал, проводящий ток. По мере роста t / си увеличивается сопротивление канала, рост тока стока замедляется, а при перекрытии переходом сечения канала при увеличении f / си ток 1с практически не изменяется. В этом режиме процессы в МДП-транзисторе аналогичны процессам в полевом транзисторе с р-п переходом. [11]
 |
Распределение концентраций электронов и дырок в полупроводнике при обратном смещении р-п перехода.| Вольт-амперная характеристика идеального р-п перехода. [12] |
Распределения концентраций электронов и дырок при обратном смещении перехода приведены на рис. 1.14. Концентрации электронов в р-области и дырок в п-обла-сти уменьшаются и равны нулю на границах перехода. Это обусловлено тем, что все электроны из п-области, достигшие благодаря диффузии границы области объемного заряда перехода, перебрасываются электрическим полем Е в n - область. Аналогично дырки из л-области, достигшие другой границы перехода, перебрасываются полем Е в р-область. [13]
Стабилитроны, в основном, используются при обратном смещении перехода. Главную роль при этом играет барьерная емкость, имеющая вследствие малой ширины перехода и его относительно большой площади значительную величину. [14]
 |
Блокинг-генератор по схеме с ОБ. [15] |
Страницы: 1 2 3