Обратное смещение - переход
Cтраница 3
При управляющем напряжении t / зи 0 и подключении источника напряжения между стоком и истоком UCA по каналу течет ток, который зависит от сопротивления канала. Напряжение ( 7си равномерно приложено по длине канала, это напряжение вызывает обратное смещение р-п перехода между каналом р-типа и n - слоем, причем наибольшее обратное напряжение на р-п переходе существует в области, прилегающей к стоку, а вблизи истока р-п переход находится в равновесном состоянии. При увеличении напряжения [ / си область двойного электрического слоя р-п перехода, обедненная подвижными носителями заряда, будет расширяться, как показано на рис. 1.10, а. Особенно сильно расширение перехода проявляется вблизи стока, где больше обратное напряжение на переходе. Расширение р-п перехода приводит к сужению проводящего ток канала транзистора, и сопротивление канала возрастает. При некотором напряжении С / си границы р-п перехода смыкаются ( пунктир на рис. 1.10, а), и рост тока / с при увеличении С / с i прекращается. [31]
В течение всего времени заряда транзистор Tt должен оставаться в активном режиме, не насыщаясь. Различие между Uт и Е можно довести до весьма малых величин ( 0 5 - ь1В), при которых обратное смещение перехода еще сохраняется. [32]
Диэлектриком в таком конденсаторе служит область объемного заряда p - n - перехода. Условием работы конденсаторов является правильное включение напряжения смещения, так как принцип их работы основан на том, что барьерная емкость р-п-перехода проявляется при обратном смещении перехода и зависит от смещения. Диффузионные конденсаторы могут выполнять функции как постоянной, так и переменной емкостей. [33]
Диэлектриком в таком конденсаторе служит область объемного заряда p - n - перехода. Условием работы конденсаторов является правильное включение напряжения смещения, так как принцип их работы основан на том, что барьерная емкость p - n - перехода проявляется при обратном смещении перехода и зависит от смещения. Диффузионные конденсаторы могут выполнять функции как постоянной, так и переменной емкостей. [34]
 |
Из эмиттерного повторителя и / j - я-типа может вытекать большой юк, который будет протекать через транзистор, втекать же может ограниченное количество тока и лишь через эмиттерный резистор. [35] |
КК ( что составляет 9 9 В), в отрицательной полуплоскости оно ограничено значением - 5 В. Это связано с тем, что при увеличении отрицательного напряжения на входе транзистор в определенный момент просто выключается, напряжение на входе составляет при этом - 4 4 В, а не выходе - 5 В. Дальнейшее увеличение отрицательного напряжения на входе приводит лишь к обратному смещению перехода база-эмиттер, но на выходе это никак не проявляется. [36]
Полевой транзистор является полупроводниковым прибором, с помощью которого удается преодолеть некоторые ограничения, присущие ключам на биполярных транзисторах. Если в биполярном транзисторе управление осуществляется через регулирование избыточной плотности неосновных носителей в базовой области, то в полевом транзисторе ток нагрузки, создаваемый перемещением основных носителей, управляется полем, направленным перпендикулярно этому току. В полевом транзисторе с p - n - переходом поле создается за счет обратного смещения перехода, а в МОП-транзисторе оно создается между двумя проводниками, действующими как обкладки конденсатора. [37]
Конденсаторы с номинальными значениями емкостей до нескольких тысяч пикофарад, реализуемые на основе p - n - переходов, изготовляют с помощью специальных режимов диффузии, в результате чего получаются короткозамкнутые транзисторные структуры, занимающие большую площадь подложки. Эта зависимость может привести к значительной модуляции емкости, уменьшить которую можно только путем такого обратного смещения перехода, которое намного превышало бы амплитуду напряжения сигнала, поступающего на конденсатор. [38]
Конденсаторы с номинальными значениями емкостей до нескольких тысяч пикофарад, реализуемые на основе p - n - перехода, изготовляют с помощью специальных режимов диффузии, в результате чего получаются мощные короткозамкнутые транзисторные структуры, занимающие большую площадь подложки. Эта зависимость может привести к значительной модуляции емкости, уменьшить которую можно только путем такого обратного смещения перехода, которое намного превышало бы амплитуду напряхения сигнала, поступающего на конденсатор. Однако увеличение обратного напряжения уменьшает номинальное значение емкости конденсатора и, кроме того, ограничено напряжением пробоя р-и-перехода. [39]
Страницы: 1 2 3