Обратное смещение - переход
Cтраница 2
Конденсатор Сь заряженный в течение длительности импульса, обеспечит обратное смещение перехода эмиттер - база. [16]
 |
График к уравнению ( 4 - 10. [17] |
Эта величина будет приблизительно равна / бо, если обратное смещение перехода база - эмиттер не превосходит величину напряжения пробоя этого перехода; пр. [18]
Диоды в цепях обратной связи А2 и A3 исключают обратное смещение эмиттерно-базовых переходов транзисторов напряжением, большим 0 7 В. [19]
Кремниевый стабилитрон представляет собой специальный полупроводниковый диод, у которого благодаря обратному смещению перехода рабочая точка в нормальном режиме лежит на участке кольт-амперной характеристики с напряжением, практически не зависящим от протекающего через него тока. [20]
Толщину слоя объемного заряда Won в (13.77) для расчета плотности заряда Qjt, обусловленного обратным смещением перехода / I, определяют по (13.48) при UD & UR, где 1 / д - обратное напряжение, прикладываемое к тиристору в процессе выключения. [21]
Если к переходу приложить напряжение от внешнего источника так, что высота барьера возрастает ( обратное смещение перехода; положительный полюс источника присоединен к области п), движение основных носителей через барьер совершенно прекратится, движение неосновных останется без изменения, так как даже слабый равновесный барьер вытягивает их все без остатка. При приложении внешнего напряжения так, что барьер снизится ( прямое смещение; положительный полюс источника-к области р, отрицательный к области п), действие поля, тормозящего основные носители, ослабится, и они, находясь в избытке в обеих областях, в больших количествах начнут движение через переход. [22]
 |
Кусочно-линейная аппроксимация прямой ветви вольт-амперной характеристики диода тремя участками ( а и соответствующая ей схема замещения ( б. [23] |
Барьерная емкость возникает из-за модуляции толщины обедненного слоя напряжением на р-я-пере-ходе и проявляется в первую очередь при обратных смещениях перехода, когда диффузионная емкость мала. [24]
 |
Схема контактно-транзисторного регулятора напряжения. [25] |
В результате переход эмиттер - база транзистора VT оказывается смещенным в обратном направлении - потенциал эмиттера ниже потенциала базы на напряжение диода. Обратное смещение перехода прерывает протекание тока в цепи базы транзистора и переводит его в закрытое состояние. [26]
Максимальная напряженность поля возрастает при увеличении концентрации примесных атомов. При обратном смещении перехода области пространственного заряда вытягиваются к границам полупроводникового кристалла. [27]
В транзисторе с р-п переходом управляющим электродом является р-п переход. Рабочей областью является область обратного смещения р-п перехода. Однако такой режим работы не является рабочим и на практике встречается лишь при нарушении нормальной работы транзистора. Ток утечки затвора представляет собой обратный ток р-п перехода, который, как известно, заметно возрастает с повышением температуры. [28]
Выбор эмиттерного напряжения при прямом смещении мергхода определяется значением необходимого рабочего тока эмиттера. Значение эмиттерного напряжения при обратном смещении перехода не должно превышать максимально допустимого. [29]
Конденсатор С9 обеспечивает стабильность работы устройства защиты. Диоды VD3, VD4 предотвращают обратное смещение переходов база-коллектор транзисторов VT11, VT12 в моменты, когда полуволны управляющего напряжения противоположны по знаку требуемому коллекторному напряжению питания. [30]
Страницы: 1 2 3