Атомное смещение

Cтраница 1

Смещения, вызванные различными излучениями. [1]

Атомные смещения под действием у-квантов уже достаточно эффективны в области комптоновского взаимодействия. Например, для у-из-лучения с энергией 1 22 Мэв поперечное сечение смещения aj d равно 0 114 барк, если Z материала составляет 22, и 0 0161 барн у мишени с Z 50 [ 2, стр. В табл. 12.1 приведены некоторые данные об атомных смещениях в меди при различных типах излучения. [2]

Атомные смещения яри у-облучении маловероятны и явля-ются вторичными процессами, вызванными действием электронов, выбитых у-квантами. [3]

Зависимость усредненных атомных смешений в Си, подвергнутой ИПД кручением, от числа оборотов.| Зависимость интегральной интенсивности фона на рентгенограммах Си, подвергнутой ИПД кручением, от числа оборотов. [4]

Дебая-Уоллера и атомных смещений из узлов равновесной идеальной кристаллической решетки. [5]

Потенциалы ионизации электронных оболочек в атоме угле-рола. [6]

Динамическая составляющая атомных смещений ud, усредненная по различным кристаллографическим направлениям, представлена на рис. 56, а. [7]

Чтобы от атомных смещений и2 перейти к амплитудам валентных и деформационных колебаний гидроксильных групп, необходимо элиминировать их трансляционные смещения. Мерой последних являются смещения атомов кислорода. [8]

Для обеспечения данной амплитуды атомных смещений в случае длинноволновых оптических колебаний необходимо затратить большую энергию, чем при акустических колебаниях той же длины волны. [9]

Расчеты [78, 79] показали, что атомные смещения на поверхности кристаллитов приводят только к снижению интенсивности дифракционных отражений, но не влияют на их форму, ширину и положение. [10]

Для определения параметра Дебая-Уоллера В и атомных смещений ( ц) из равновесных положений в кристаллической решетке исходят из результатов исследований изменения интегральных интенсивностей пиков на рентгенограммах или нейтроно-граммах, полученных при различных температурах. [11]

То обстоятельство, что для перестройки кристаллической решетки достаточно небольших атомных смещений, а также сохранение упорядоченного сопряжения фаз на границах объясняют высокую скорость и атер-мический характер роста мартенситных кристаллов. Скорость движения фронта мартенситного превращения может достигать 103 м / с, т.е. может сравниваться по порядку величины со скоростью звука в кристалле. [12]

Изменение сопротивления пленочных углеродистых сопротивлений в зависимости от исходной величины сопротивления и времени облучения. Условия облучения. поток тепловых нейтронов 1 25 - 1012 нейтрон / ( см2 - сек, быстрых 2 4 - 109 нейтрон / ( см2 - сек, мощность дозы-у-облу-яения 4 - 104 эрг / ( г-сек. [13]

Толщина проводящих пленок большинства углеродистых сопротивлений приблизительно соизмерима с величиной атомных смещений, получающихся в результате облучения, причем проводящие пленки в высоко-омных сопротивлениях значительно тоньше, чем в низкоомных. [14]

Так как нарушения в неорганических изоляционных материалах обусловлены в основном атомными смещениями, то можно предполагать, что - излучение не создает дополнительных трудностей. Правда, комптон-электроны, получающиеся при рассеянии у-квантов будут вызывать смещения атомов, но опыты с полупроводниками показали, что их вклад мал по сравнению со смещениями, возникающими под действием быстрых нейтронов. [15]

Страницы: 1 2 3 4