Атомное смещение

Cтраница 2

К этой энергии необходимо прибавить энергию ядра дислокации, проистекающую из атомного смещения в области, где деформация слишком велика для применения закона Гука. Мы можем вычислить верхний предел для этой энергии при допущении, что закон Гука действует на расстояниях порядка 1Л, что отвечает расстоянию бли жайших атомов от оси дислокации. Можно также, следуя Брэггу, принять, что плотность энергии не должна превышать величины, которая соответствует плавлению кристалла. [16]

Недавние исследования динамики молекулы лизоцима с помощью кристаллографических методов показали [55, 56], что атомные смещения в белке наиболее выражены в области активного центра фермента. Хотя эти исследования пока носят лишь постановочный характер, не исключено, что в будущем применение рентгеноструктурного анализа именно для изучения динамических свойств молекул белка ( определение средних амплитуд смещения каждого атома от его усредненной позиции в кристалле), помимо зарекомендовавших себя исследований статических свойств белковых молекул в кристалле ( определение усредненных координат всех атомов в молекуле на основе соответствующего распределения электронных плотностей), может дать важную и принципиально новую информацию о структуре ферментов и механизмах их действия. [17]

Таким образом, по крайней мере вплоть до приближения второго порядка, действие атомных смещений на брэгговские пики приводит к умножению структурных амплитуд на экспоненциальный множитель, имеющий форму фактора Дебая - Валлера для теплового движения. Тот факт, что этот псевдофактор Дебая - Валлера одинаков для обоих сортов атомов, является результатом допущения, что поля смещений действуют одинаково на все атомы. [18]

Основываясь на полученных данных об увеличении размера зерен, уменьшении микроискажений кристаллической решетки, а также увеличении атомных смещений, можно предположить, что процесс возврата в наноструктурных материалах, полученных ИПД, сопровождается переходом границ зерен в более равновесное состояние и исчезновением полей упругих дальнодействующих напряжений. В пользу этого свидетельствует и небольшая скорость деформации при холодной прокатке, являющаяся важным фактором, определяющим процесс формирования структуры. [19]

Представления о микроструктуре нанокристаллических материалов во многом базируются на результатах рентгеновского изучения параметров решетки, внутренних напряжений, атомных смещений. По сравнению с крупнозернистыми материалами рентгенограммы нанокристаллических материалов отличаются большей шириной дифракционных отражений, некоторым изменением их формы, а также смещением их положения. Уширение дифракционных отражений обусловлено малым размером зерен и микродеформациями ( дефектами упаковки) кристаллической решетки; форма и интенсивность отражений зависят от величины атомных смещений; смещение отражений свидетельствует об изменении параметров решетки. Важные сведения об особенностях структуры дает фон, являющийся результатом теплового диффузного рассеяния, отсутствия порядка в расположении атомов при аморфизации вещества и диффузного рассеяния твердым раствором. Тепловое диффузное рассеяние вызывает монотонный рост интенсивности фона с ростом угла отражения ( 9, а отсутствие порядка в расположении атомов - монотонное убывание фона. Судя по экспериментальным данным, уменьшение размера зерен нанокристаллических материалов может приводить как к уменьшению [69-72], так и к увеличению [72- 74] параметров решетки. Более вероятным кажется уменьшение параметра решетки, которое может наблюдаться при размере кристаллитов менее 10 нм вследствие их сжатия. [20]

Средняя гг-структура этилена рассчитана Кучицу [216] по исправленным параметрам г Бартелла и др. [215] ( с учетом эффекта атомных смещений, перпендикулярных направлению равновесной связи и центробежного искажения), а также с использованием определенной спектроскопически Го-структуры при учете вращательно-колебательных взаимодействий. [21]

Зависимость логарифма отношения интегральных интенсивностей рентгеновских пиков ( hkl при температурах 85 К и 295 К от вектора рассеяния ( sin 0 / A2 для наноструктурного Ni. [22]

Так же как и в наноструктурном Ni, в рассматриваемом случае нано-структурной Си повышенные значения параметра Дебая-Уоллера В и среднеквадратичных атомных смещений ( ц) обусловлены изменениями в дефектной структуре благодаря ИПД. [23]

Исходя из соотношения ( / г2) 1 / 2 / Втэ 8тг2 [88], была оценена также величина усредненных атомных смещений в приграничной области наноструктурного Ni, полученного ИПД. [24]

Зависимость логарифма отношения интегральных интенсивностей рентгеновских пиков ( hkl при температурах 85 К и 295 К от вектора рассеяния ( sin б / А 2 для наноструктурного Ni. [25]

Так же как и в наноструктурном Ni, в рассматриваемом случае нано-структурной Си повышенные значения параметра Дебая-Уоллера В и среднеквадратичных атомных смещений ( / г) обусловлены изменениями в дефектной структуре благодаря ИПД. [26]

Исходя из соотношения ( fJ2) 1 / 2 - т / гз 8тг2 [88], была оценена также величина усредненных атомных смещений в приграничной области наноструктурного Ni, полученного ИПД. [27]

Под влиянием размеров кристаллитов претерпевают изменения и такие параметры фононного спектра, как характеристическая температура и фактор Дебая - Уоллера, отражающий атомные смещения. В табл. 3.6 приведены средние значения статических составляющих фактора Дебая-Уоллера Bs в дебаевском и эйнштейновском приближениях и соответствующие характеристические температуры BD и QE для образцов селена, изготовленных контролируемой кристаллизацией из аморфного состояния, т.е. с минимальными деформационными искажениями. Эти данные получены с помощью известной процедуры оценки характеристической температуры из измерений интенсивности рентгеновских рефлексов в интервале Т 88 - 325 К. [28]

Следует отметить, что энергии активации растворения полупроводников имеют высокое значение в связи с тем, что для ковалентно связанных атомов твердого тела атомные смещения требуют высоких энергий активации. [29]

Параметр Дебая-Уоллера В состоит из температурно зависимой компоненты Вт, связанной с тепловыми колебаниями атомов, и температурно-независимой компоненты В3, связанной со статическими атомными смещениями. [30]

Страницы: 1 2 3 4