Атомное смещение

Cтраница 3

Параметр Дебая-Уоллера В состоит из температурно зависимой компоненты J3T, связанной с тепловыми колебаниями атомов, и температурно-независимой компоненты Bs, связанной со статическими атомными смещениями. [31]

Следует заметить, что результаты вычисления ИК-интенсивно-стей колебаний с частотами в интервале 550 - 450 см 1 позволяют предполагать, что расчетные формы колебаний лишь весьма приближенно соответствуют действительной картине атомных смещений. Так, в типе симметрии Аи из колебаний с овыч 506 и 476 см 1, по результатам расчетов, более интенсивно первое, тогда как в эксперименте наблюдается обратное соотношение интенсив-ностей. В типе симметрии Ва из колебаний с швы, 507 и 456 см 1, согласно результатам расчетов, более интенсивно тоже первое, тогда как наблюдаемые полосы скорее равно интенсивны. Соответственно, можно предполагать, что РПЭ этих колебаний тоже определено неточно. [32]

В свою очередь, вследствие неравновесных границ зерен, возникают высокие напряжения и искажения кристаллической решетки, которые ведут к дилатациям решетки, проявляющимся в изменении межатомных расстояний, появлении значительных статических и динамических атомных смещений, экспериментально обнаруженным при рентгеновских и мессбауэровских исследованиях. [33]

Зависимости относи - J r u. [34]

Таким образом, проведенные рентгеноструктурные исследования свидетельствуют о формировании в результате ИПД состояния, характеризующегося размером зерен-кристаллитов в десятки нанометров, высоким уровнем микроискажений, измененным параметром кристаллической решетки, повышенными атомными смещениями, пониженной температурой Дебая, несколько повышенным диффузным фоном рассеяния рентгеновских лучей. [35]

Обнаружены атомные смещения величиной в тысячные - сотые доли нанометра, которые ответственны за особые диэлектрические свойства, наблюдающиеся у этих материалов. [36]

А, что составляет 6 6 % от кратчайшего межатомного расстояния ( ао / 2) 110) в Си. Отметим также, что атомные смещения в наноструктурной Си, полученной ИПД консолидацией порошка, обработанного в течение 100ч в шаровой мельнице, составляют еще большее значение, равное 9 2 % от кратчайшего расстояния между атомами. [37]

А, что составляет 6 6 % от кратчайшего межатомного расстояния ( ао / 2) 110) в Си. Отметим также, что атомные смещения в нано структурной Си, полученной ИПД консолидацией порошка, обработанного в течение 100 ч в шаровой мельнице, составляют еще большее значение, равное 9 2 % от кратчайшего расстояния между атомами. [38]

Схема, иллюстрирующая влияние электростатических эффектов на фононы, распространяющиеся а вдоль и б перпендикулярно оси МКЯ для А-подобных мод. [39]

Поскольку для В-подобных мод атомное смещение и в слое А должно быть равно нулю, мы сталкиваемся с вопиющим нарушением непрерывности и, при пересечении интерфейсов. [40]

В простейшей модели каждая отдельная волна решетки представляется плоской волной с поправкой на смещение атомов; она проходит через кристалл и, таким образом, не ограничена в пространстве и времени. Такая картина является сильно упрощенной, поскольку область корреляции атомных смещений ограничена как в пространстве, так и во времени. Можно сказать, что фонон высокой частоты во многих случаях имеет ограниченную протяженность в пространстве и конечное время жизни или соответственно не намного больше одной длины волны или одного периода. Однако мы все же будем придерживаться более простой картины бесконечных волн, поскольку такая модель приводит к разумным результатам. [41]

Напротив, Г. М. Бартенев [89], рассматривая процессы плавления металлов и кристаллизацию эвтектик, приходит к выводу о том, что наиболее вероятны такие средние размеры областей, которые отвечают содержанию в них 103 - 104 атомов. В частности, он отмечает, что появление подобных областей при атомном смещении компонентов не может протекать с той скоростью, с которой обычно осуществляется кристаллизация эвтектик. Однако, кинетика этого процесса легко описывается, если принять, что в жидкости существуют колонии размером 103 - 104 атомов и что кристаллизация сводится к их росту до величины критического зародыша. [42]

В случае наноструктурного ИПД Ni [135] величины Вт и Bs оказались примерно в 2 раза выше, чем в крупнокристаллическом Ni. Как следует из уравнения (2.4), это свидетельствует о существенном увеличении значений как динамических, так и статических атомных смещений в Ni в результате ИПД. [43]

Прямые наблюдения границ зерен, выполненные методом высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии, дают доказательства их специфической дефектной структуры в наноструктурных материалах вследствие присутствия атомных ступенек и фасеток, а также зернограничных дислокаций. В свою очередь, высокие напряжения и искажения кристаллической решетки ведут к дилатациям решетки, проявляющимся в изменении межатомных расстояний, появлении значительных статических и динамических атомных смещений, которые экспериментально наблюдались в рентгеновских и мессбауэрографических исследованиях. [44]

Анализ рентгенограмм наноструктурной Си показал [16, 17, 19], что ИПД приводит к некоторому росту интенсивности диффузного фона рассеяния рентгеновских лучей, достигающему 6 3 %, по сравнению с соответствующей крупнокристаллической Си. Причиной этого, помимо, точечных дефектов, могут быть и ВЗГД, вблизи ядер которых атомы, также как и в случае точечных дефектов, существенно смещены из равновесных положений в кристаллической решетке. Рассчитанные значения атомных смещений ц21 / 2 для наноструктурной Си оказались равными 0 0126 0 0003 нм, что составляет 5 0 % от кратчайшего расстояния между атомами. При этом температура Дебая равна 233 6 К, что для наноструктурной Си на 23 % меньше табличного значения. [45]

Страницы: 1 2 3 4