Входной диод

Cтраница 3

На этапе ламповых ЭВМ широко использовалась логика со входными диодами. [31]

Эквивалентная схема ДТЛ элемента на стадии отпирания транзистора-усилителя. [32]

А, который равен сумме падений напряжений на входном диоде ( Un BX) и на коллекторе насыщенного транзистора, подключенного к любому входу. [33]

Информационный сигнал положительной полярности подают на Фвх, а входной диод вначале смещают в прямом направлении. [34]

После достижения выходным напряжением значения t / nop все входные диоды нагрузок открываются и расчетная схема для анализа второй составляющей спада tl принимает вид, показанный на рис. 3.8, а. Наихудшим случаем работы схемы является случай, когда все остальные входные диоды нагрузок в количестве / ( раз-1 закрыты. [35]

На рис. 3.10 представлены граничные характеристики 1 и 2 входных диодов элемента ДТЛ и граничные характеристики 3 и 4 выходных транзисторов в области насыщения для этих же элементов. [36]

На рис. 33, а представлена схема Я с входными диодами, выполняющая операцию логического умножения. Сопротивления Лс и Лсм выбирают такими, чтобы при нулевом сигнале на входе делитель, составленный из них, обеспечивал на базе положительный потенциал. [37]

Базовые элементы ДТЛ. [38]

Если на все входы поданы сигналы с уровнем 1, входные диоды закрыты, и ток от источника Е поступает в базу транзистора. [39]

В сравнении с ДТЛ в схеме ТТЛ многоэмиттерный транзистор заменяет m входных диодов и один смещающий диод и занимает меньшую площадь на кристалле. Кроме того, исключается резистор R4 ( см. рис. 8 - 21), занимающий большую площадь. [40]

Теперь выберем Сь Когда схема и G открывается последним из трех входных диодов и переходит от нижнего уровня к верхнему, ток, протекающий через R и входной диод к поглотителю тока ( подобному 4), теперь переключается и проходит через С. В начале вре-мени нарастания максимальный ток разряда равен ( VA - VB) / ft2, что, как вычислено выше, составляет 0 67 ма. [41]

Если на одном или обоих входах возникнет состояние логического 0, т.е. входной диод окажется замкнут на общую шину ( через выходной транзистор предыдущего каскада или непосредственно), то через этот диод и резистор R [ потечет ток и потенциал в точке А упадет до уровня прямого падения напряжения на диоде и на коллекторе входного транзистора. Это напряжение ( 0 8 - 1 2 В) недостаточно для отпирания диода VD3 и эмиттерного перехода транзистора VT1, и транзистор VT1 окажется заперт. [42]

Как видно из схемы, в течение первой составляющей спада выходного напряжения входные диоды нагрузочных элементов закрыты и представляют собой чисто емкостную нагрузку. [43]

Большое число транзисторов делает эти схемы менее надежными, чем схемы с входными диодами. Поэтому в настоящее время последним отдают предпочтение. [44]

Благодаря постоянству величины UCM увеличение потенциала точки А при отпирании хотя бы одного входного диода приводит к равному по величине повышению потенциала базы. Падение напряжения на смещающих диодах ( t / CM) при этом компенсирует сумму падений напряжений на входном диоде и насыщенном транзисторе предшествующего элемента. Последнее при правильном выборе параметров схемы приводит к запиранию транзистора рассматриваемого элемента и изменению выходного напряжения до уровня, соответствующего единице. Ток iKa, который ранее замыкался в основном через участок база-эммиттер транзистора, теперь замыкается через открытые входные диоды и транзисторы предшествующих элементов. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5